| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-34页 |
| ·红外探测器 | 第14-17页 |
| ·红外辐射 | 第14-15页 |
| ·红外探测器 | 第15-17页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器 | 第17-19页 |
| ·碲镉汞材料 | 第17-18页 |
| ·碲镉汞红外焦平面探测器发展趋势 | 第18-19页 |
| ·红外探测器特性参数 | 第19-22页 |
| ·响应率、量子效率和光谱响应率 | 第19-20页 |
| ·噪声和噪声等效功率 | 第20-21页 |
| ·探测率 | 第21页 |
| ·品质参数R0A | 第21-22页 |
| ·碲镉汞红外探测器芯片主要制备工艺 | 第22-27页 |
| ·离子注入工艺 | 第22-23页 |
| ·腐蚀/刻蚀工艺 | 第23-25页 |
| ·表面钝化工艺 | 第25-26页 |
| ·金属化工艺 | 第26-27页 |
| ·碲镉汞红外探测器芯片集成测试结构 | 第27-32页 |
| ·集成测试结构简介 | 第28-29页 |
| ·碲镉汞红外探测器芯片集成测试结构研究发展现状[29] | 第29-32页 |
| ·本文研究目的和内容 | 第32-34页 |
| ·本文的研究目的 | 第32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 碲镉汞栅控二极管 | 第34-60页 |
| ·栅控二极管研究概述 | 第34-37页 |
| ·栅控二极管基本理论 | 第34-35页 |
| ·碲镉汞栅控二极管研究现状 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| ·表面漏电机制理论分析 | 第37-48页 |
| ·碲镉汞表面电荷Qs与表面势 | 第37-43页 |
| ·表面隧穿电流 | 第43-46页 |
| ·表面沟道电流 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| ·碲镉汞栅控二极管实验结果讨论 | 第48-57页 |
| ·实验样品 | 第48-49页 |
| ·典型栅控二极管IV特性 | 第49-52页 |
| ·栅控优化体结参数提取 | 第52-55页 |
| ·表面漏电流分析 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57-60页 |
| 第三章 金属-绝缘层-半导体MIS电容 | 第60-94页 |
| ·理想MIS电容曲线 | 第60-69页 |
| ·非简并理想MIS电容曲线 | 第62-64页 |
| ·一种数值计算MIS电容的方法 | 第64-65页 |
| ·碲镉汞MIS器件理想C-V曲线 | 第65-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·实际碲镉汞MIS器件C-V特性 | 第69-81页 |
| ·绝缘层电荷与功函数差 | 第69-71页 |
| ·界面陷阱电荷Qit | 第71-77页 |
| ·隧穿电流对MIS器件理性C-V曲线的影响 | 第77-81页 |
| ·小结 | 第81页 |
| ·实验结果分析 | 第81-92页 |
| ·表面处理工艺对碲镉汞MIS电容的影响 | 第81-85页 |
| ·中波双层钝化碲镉汞MIS电容 | 第85-89页 |
| ·快速退火对MIS器件CV特性影响 | 第89-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第四章 非线性金属-半导体接触电学性能表征 | 第94-124页 |
| ·金属-半导体接触理论 | 第94-103页 |
| ·Schottky势垒 | 第94-96页 |
| ·电流输运特性 | 第96-99页 |
| ·欧姆接触电学性能的表征 | 第99-103页 |
| ·小结 | 第103页 |
| ·非线性传输线模型在电极性能表征中的应用 | 第103-115页 |
| ·非线性传输线模型(GTLM) | 第103-105页 |
| ·非线性传输线模型的理论计算结果 | 第105-111页 |
| ·电极参数拟合算法 | 第111-113页 |
| ·误差分析 | 第113-115页 |
| ·小结 | 第115页 |
| ·Au/Sn/p-HgCdTe接触电学特性分析 | 第115-121页 |
| ·实验样品 | 第115-116页 |
| ·结果讨论 | 第116-121页 |
| ·小结 | 第121页 |
| ·本章小结 | 第121-124页 |
| 第五章 钝化层电阻率 | 第124-138页 |
| ·钝化层阻抗 | 第124-130页 |
| ·提高钝化层阻抗和均匀性的必要性 | 第124-125页 |
| ·钝化层阻抗实验分析 | 第125-130页 |
| ·微区四探针法测量精度分析 | 第130-136页 |
| ·四探针法测量薄膜电阻率 | 第130-131页 |
| ·镜像电荷法求解电场分布 | 第131-134页 |
| ·结果与讨论 | 第134-136页 |
| ·本章小结 | 第136-138页 |
| 第六章 结论与展望 | 第138-142页 |
| ·本文总结 | 第138-140页 |
| ·本文创新点 | 第140-141页 |
| ·问题与展望 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-149页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果. | 第149-150页 |