| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| ·In As1-x Nx红外材料 | 第11-17页 |
| ·In As1-x Nx材料特性 | 第11-12页 |
| ·In As1-x Nx材料研究进展 | 第12-15页 |
| ·In As1-x Nx器件研究进展 | 第15-16页 |
| ·In As1-x Nx材料研究中遇到的难题 | 第16-17页 |
| ·In As1-x Sbx红外材料 | 第17-22页 |
| ·In As1-x Sbx材料特性 | 第17-19页 |
| ·In As1-x Sbx材料与器件的研究进展 | 第19-22页 |
| ·本论文选题背景与创新意义 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-32页 |
| 第二章 液相外延生长设备改进 | 第32-39页 |
| ·液相外延（LPE）生长方法介绍 | 第32-33页 |
| ·液相外延生长设备改进 | 第33-38页 |
| ·石墨舟的改进 | 第34-35页 |
| ·精确推舟定位的设计 | 第35页 |
| ·控制面板和保压系统的设计 | 第35-37页 |
| ·黄金炉恒温设计 | 第37-38页 |
| ·石墨舟和石英管的清洗 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 In As1-x Nx薄膜的液相外延生长和性质表征 | 第39-54页 |
| ·In As1-x Nx薄膜液相外延生长参数优化 | 第39-41页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的液相外延生长 | 第41-43页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的性质表征 | 第43-49页 |
| ·高分辨X射线衍射谱（HRXRD） | 第43-45页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的形貌表征 | 第45-47页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的拉曼光谱 | 第47-48页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的红外透射光谱 | 第48-49页 |
| ·In As1-x Nx薄膜的能隙蓝移与分析 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第四章 In As1-x Sbx薄膜的液相外延生长和性质表征 | 第54-73页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的液相外延生长 | 第54-56页 |
| ·熔源配比计算 | 第54-55页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的液相外延生长 | 第55-56页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的性质表征 | 第56-70页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的结构性质表征 | 第57-60页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的光学性质表征 | 第60-62页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的椭圆偏振光谱研究 | 第62-67页 |
| ·In As1-x Sbx薄膜的位错研究 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 In As_(1-x) Sbx材料的纯化与性质表征 | 第73-90页 |
| ·、纯化方法介绍 | 第73-74页 |
| ·In As0.94Sb0.06薄膜电学性质的表征方法 | 第74-79页 |
| ·pn结方法 | 第75-76页 |
| ·化学机械抛光方法 | 第76-77页 |
| ·电学测试方法介绍 | 第77-79页 |
| ·n-In As0.94Sb0.06/p-In As型样品性质表征 | 第79-80页 |
| ·In As0.94Sb0.06抛薄样品的性质表征 | 第80-87页 |
| ·In As0.94Sb0.06抛薄样品的电学性质表征 | 第80-82页 |
| ·In As0.94Sb0.06抛薄样品的光学性质表征 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第六章 In As Sb基p Bin型红外探测器的LPE生长与性能表征 | 第90-107页 |
| ·In As Sb基红外探测器器件结构优化 | 第90-97页 |
| ·缓冲层设计 | 第90-92页 |
| ·In As1-x-y Sbx Py势垒层设计 | 第92页 |
| ·In As0.87Sb0.13吸收层厚度优化 | 第92-96页 |
| ·In As Sb基p Bin器件结构 | 第96-97页 |
| ·In As Sb基p Bin器件结构的LPE生长 | 第97页 |
| ·In As Sb基p Bin结构各组元性质表征 | 第97-102页 |
| ·器件结构中各组元的组分确定 | 第97-99页 |
| ·器件结构截面形貌 | 第99-100页 |
| ·器件结构各组元中的位错 | 第100-101页 |
| ·外延薄膜的光学能隙 | 第101-102页 |
| ·器件性能表征 | 第102-105页 |
| ·二极管的电流-电压特性 | 第103-104页 |
| ·二极管的光电流响应特性 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第七章 总结和展望 | 第107-109页 |
| ·研究工作总结 | 第107-108页 |
| ·进一步研究工作展望 | 第108-109页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第109-110页 |
