| 中文摘要 | 第1-13页 |
| Abstract | 第13-18页 |
| 符号说明 | 第18-20页 |
| 第一章 引言 | 第20-38页 |
| ·激光器的发展概况 | 第20-22页 |
| ·脉冲激光器 | 第22-27页 |
| ·调Q技术 | 第23-25页 |
| ·调Q锁模技术 | 第25页 |
| ·锁模技术 | 第25-27页 |
| ·固体激光器的增益介质 | 第27-30页 |
| ·激光增益介质的热效应及键合晶体 | 第30-31页 |
| ·非线性光学频率变换技术 | 第31页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 键合Nd：YVO_4激光器的动态热效应 | 第38-47页 |
| ·两种LD泵浦的基本结构 | 第38-39页 |
| ·LD端面泵浦的激光增益介质的热效应分析 | 第39-40页 |
| ·激光增益介质热效应的研究 | 第40-43页 |
| ·键合及普通Nd：YVO_4晶体内部的温度分布情况 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 LD泵浦键合Nd：YVO_4主动调Q激光特性研究 | 第47-58页 |
| ·电光Q开关主动调Q激光特性研究 | 第47-53页 |
| ·电光(EO)Q开关的工作原理 | 第47-48页 |
| ·电光主动调Q键合Nd：YVO_4激光器的实验装置和结果 | 第48-53页 |
| ·声光开关主动调Q激光特性研究 | 第53-56页 |
| ·声光(AO)Q开关的工作原理 | 第53-54页 |
| ·声光主动调Q键合Nd：YVO_4激光器的实验装置和结果 | 第54-56页 |
| ·电光和声光开关主动调Q激光特性比较 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 LD泵浦键合Nd：YVO_4晶体被动调Q激光特性研究 | 第58-74页 |
| ·GaAs材料的被动调Q的激光特性研究 | 第58-64页 |
| ·GaAs材料的被动调Q机理分析 | 第58-60页 |
| ·键合Nd：YVO_4晶体GaAs被动调Q激光器实验研究 | 第60-64页 |
| ·Cr~(4+)：YAG晶体的被动调Q激光特性研究 | 第64-69页 |
| ·Cr~(4+)：YAG晶体的被动调Q机理分析 | 第64-66页 |
| ·键合Nd：YVO_4晶体Cr~(4+)：YAG被动调Q激光器实验研究 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 第五章 双损耗调制调Q锁模亚纳秒脉冲激光特性研究 | 第74-98页 |
| ·亚纳秒高峰值功率键合Nd：YVO_4激光特性实验和理论研究 | 第74-86页 |
| ·1064 nm亚纳秒键合Nd：YVO_4激光器实验装置和结果分析 | 第75-80页 |
| ·1064 nm亚纳秒键合Nd：YVO_4/Nd：YVO_4/Nd：YVO_4激光的理论分析 | 第80-86页 |
| ·532 nm亚纳秒键合Nd：YVO_4/Nd：YVO_4/Nd：YVO_4/KTP绿光激光特性研究 | 第86-93页 |
| ·Bi-GaAs的制备工艺与基本性质 | 第86-88页 |
| ·532 nm亚纳秒键合Nd：YVO_4/Nd：YVO_4/Nd：YVO_4/KTP绿光实验装置及结果分析 | 第88-93页 |
| 参考文献 | 第93-98页 |
| 第六章 半导体可饱和吸收镜超快激光特性研究 | 第98-108页 |
| ·锁模的基本原理 | 第99-101页 |
| ·键合Nd：YVO_4/SESAM被动锁模的实验装置与结果分析 | 第101-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第七章 光参量振荡 | 第108-121页 |
| ·三波混频 | 第109-111页 |
| ·关于光参量振荡的原理 | 第111-114页 |
| ·键合Nd：YVO_4声光调Q输出泵浦OPO的实验装置及结果分析 | 第114-119页 |
| 参考文献 | 第119-121页 |
| 第八章 总结 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 攻读学位期间参与的项目、获得的奖励以及发表的论文 | 第124-127页 |
| 附：发表外文论文两篇(SCI) | 第127-138页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第138页 |
