| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-43页 |
| 第一节 自旋电子学简介 | 第17-22页 |
| 第二节 磁性半导体简介 | 第22-24页 |
| 第三节 Ⅳ族Ge基磁性半导体的研究现状 | 第24-31页 |
| 第四节 氢化磁性半导体的研究现状 | 第31-35页 |
| 第五节 研究动机和内容 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 第二章 薄膜制备与测试分析 | 第43-53页 |
| 第一节 样品制备技术 | 第43-46页 |
| ·薄膜技术 | 第43页 |
| ·磁控溅射工作原理 | 第43-45页 |
| ·本论文使用的磁控溅射仪简介 | 第45-46页 |
| 第二节 样品的测试分析仪器及原理 | 第46-53页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第46-47页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第47-48页 |
| ·交流梯度磁强计(AGM) | 第48-49页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第49-52页 |
| ·铁磁共振(FMR) | 第52-53页 |
| 第三章 非晶FeCoGe-H及FeCoGe薄膜的制备及成分分析 | 第53-63页 |
| 第一节 引言 | 第53-54页 |
| 第二节 薄膜的制备 | 第54-60页 |
| ·薄膜的制备 | 第54-55页 |
| ·结构及成分分析 | 第55-60页 |
| 第三节 小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 非晶FeCoGe-H薄膜的静态磁性测量及分析 | 第63-73页 |
| 第一节 引言 | 第63页 |
| 第二节 实验结果与分析 | 第63-70页 |
| ·非晶(FeCo)_xGe_(1-x)-H薄膜的磁性 | 第63-67页 |
| ·非晶(FeCo)_xGe_(1-x)-H薄膜的电输运 | 第67-70页 |
| 第三节 小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 非晶FeCoGe-H薄膜的动态磁性测量及分析 | 第73-86页 |
| 第一节 引言 | 第73页 |
| 第二节 实验结果与分析 | 第73-83页 |
| ·自旋波共振场H_r与角度θ_H的依赖关系 | 第74-78页 |
| ·自旋波劲度系数的定量研究 | 第78-81页 |
| ·分析与讨论 | 第81-83页 |
| 第三节 小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第六章 非晶FeCoGe薄膜的电输运性质 | 第86-96页 |
| 第一节 引言 | 第86-87页 |
| 第二节 实验结果与分析 | 第87-94页 |
| ·非晶FeCoGe薄膜的霍尔效应 | 第87-90页 |
| ·非晶FeCoGe薄膜的纵向电阻率 | 第90-91页 |
| ·非晶FeCoGe薄膜霍尔电阻率与纵向电阻率的关联 | 第91-94页 |
| 第三节 小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第七章 总结与展望 | 第96-99页 |
| 第一节 本论文的主要内容和结果 | 第96-97页 |
| 第二节 本论文的特色与创新 | 第97页 |
| 第三节 下一步的工作与展望 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 在学期间发表的论文 | 第101页 |
| 参加的学术会议 | 第101-102页 |
| 附件 | 第102页 |
