CVD制备MoS2及其传感器研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章. 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·MoS_2的制备 | 第12-18页 |
| ·机械剥离法 | 第12-13页 |
| ·化学剥离法 | 第13-14页 |
| ·液相剥离法 | 第14-15页 |
| ·化学合成法 | 第15-18页 |
| ·MoS_2的表征 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章. 化学气相沉积法研究 | 第23-31页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·衬底“face-down”放置法 | 第24-26页 |
| ·衬底“face-up”放置法 | 第26-28页 |
| ·本文设计思路和研究内容 | 第28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第三章. CVD法制备MoS2研究 | 第31-49页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·CVD系统搭建 | 第31-33页 |
| ·“face-up”法制备MoS_2 | 第33-40页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第33页 |
| ·MoS_2的制备和表征 | 第33-36页 |
| ·工艺改进与样品表征 | 第36-39页 |
| ·通S时间对MoS_2生长的影响 | 第39-40页 |
| ·“face-down”法制备MoS_2 | 第40-46页 |
| ·MoS_2的制备与表征 | 第41-44页 |
| ·反应温度对MoS_2生长的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章. 改进CVD法制备MoS_2研究 | 第49-62页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·MoS_2制备改进工艺研究 | 第50-60页 |
| ·MoS_2的制备与表征 | 第51-54页 |
| ·通入硫蒸汽的时机对MoS_2生长的影响 | 第54-56页 |
| ·衬底摆放位置对MoS_2生长的影响 | 第56-57页 |
| ·S粉的用量对MoS_2生长的影响 | 第57-59页 |
| ·MoO_3用量对MoS_2生长的影响 | 第59-60页 |
| ·反应温度比较 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章. 基于MoS_2的湿度传感器研究 | 第62-72页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·湿度传感器制备与表征 | 第62-65页 |
| ·传感器制备 | 第62-64页 |
| ·传感器表征 | 第64-65页 |
| ·湿度传感器的测试 | 第65-70页 |
| ·湿度测试环境与测试系统 | 第65-66页 |
| ·测试结果与分析 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第六章. 总结与展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 硕士期间的科研成果 | 第75页 |
