| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·论文研究背景及意义 | 第12-15页 |
| ·本文的主要研究方法 | 第15页 |
| ·本文的研究内容和主要结构 | 第15-16页 |
| ·本文创新点 | 第16-17页 |
| ·课题来源 | 第17-18页 |
| 第二章 半导体光电探测器研究基础 | 第18-27页 |
| ·半导体光电探测器概述 | 第18-22页 |
| ·主要分类 | 第18-19页 |
| ·主要性能参数 | 第19-21页 |
| ·发展趋势 | 第21-22页 |
| ·低维量子效应半导体光电探测器 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 InAs/InGaAs/GaAs光电器件建模仿真 | 第27-40页 |
| ·器件物理模型基本方程 | 第27-28页 |
| ·器件物理模型仿真工具 | 第28-29页 |
| ·双势垒量子点-量子阱光电器件的建模 | 第29-31页 |
| ·双势垒量子点-量子阱光电器件的仿真与分析 | 第31-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 InAs/InGaAs/GaAs光电探测器Ⅰ-Ⅴ低温建模 | 第40-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-45页 |
| ·工作总结 | 第44页 |
| ·工作展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 攻读学位期间发表学术论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |