| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·半导体激光器的基本结构与工作原理 | 第7-8页 |
| ·半导体激光器的发展概况 | 第8-9页 |
| ·脊型半导体激光器的研究进展 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 脊型半导体激光器的结构设计和理论分析 | 第11-28页 |
| ·980nm脊型半导体激光器外延结构设计的理论基础 | 第11-21页 |
| ·980nm脊型半导体激光器中的量子阱结构设计 | 第21-23页 |
| ·980nm脊型半导体激光器的结构设计 | 第23-28页 |
| 第三章 干法和湿法腐蚀制作980nm脊型量子阱半导体激光器 | 第28-43页 |
| ·InGaAs量子阱激光器材料的生长 | 第28-31页 |
| ·外延芯片的测试 | 第31-32页 |
| ·干法和湿法腐蚀制作InGaAs脊型量子阱半导体激光器 | 第32-39页 |
| ·InGaAs量子阱激光器芯片制作工艺 | 第39-43页 |
| 第四章 干法和湿法腐蚀制作脊型量子阱半导体激光器特性比较研究 | 第43-47页 |
| ·脊型量子阱半导体激光器光电测试与分析 | 第43-45页 |
| ·脊型量子阱半导体激光器光学特性测试 | 第45-46页 |
| ·脊型量子阱半导体激光器特性及结论 | 第46-47页 |
| 总结 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
