| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·半导体激光器的诞生和发展 | 第7-8页 |
| ·半导体材料 | 第8页 |
| ·InGaAsN材料特性及应用 | 第8-11页 |
| ·InGaAsN半导体激光器的发展 | 第11-13页 |
| ·本论文的研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 InGaAsN应变量子阱材料 | 第14-30页 |
| ·量子阱激光器 | 第14-22页 |
| ·应变对量子阱激光器及材料的影响 | 第22-25页 |
| ·InGaAsN应变量子阱材料 | 第25-30页 |
| 第三章 阳极氧化工艺 | 第30-34页 |
| ·阳极氧化 | 第30-31页 |
| ·二氧化硅绝缘层常见质量问题 | 第31-32页 |
| ·脉冲阳极氧化法成膜优点 | 第32页 |
| ·InGaAsN材料的阳极氧化 | 第32-34页 |
| 第四章 1.3μm InGaAsN激光器的设计与制作 | 第34-50页 |
| ·半导体激光器的分类 | 第34-35页 |
| ·InGaAsN材料的生长制备 | 第35-39页 |
| ·芯片结构设计 | 第39-43页 |
| ·芯片制作工艺 | 第43-46页 |
| ·欧姆接触制备 | 第46-47页 |
| ·散热系统的设计 | 第47-48页 |
| ·烧焊与键合技术 | 第48-50页 |
| 第五章 检测与总结 | 第50-55页 |
| ·InGaAsN材料测试 | 第50-51页 |
| ·InGaAsN应变量子阱激光器的输出特性 | 第51-53页 |
| ·脉冲阳极氧化与磁控溅射成膜比较 | 第53-55页 |
| 总结 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |