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抗饱和IMC-PID控制器及其设计方法研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第14-24页
    1.1 课题研究背景及意义第14-15页
    1.2 抗饱和控制的相关概念第15-18页
        1.2.1 饱和的基本概念第15-17页
        1.2.2 抗饱和控制的目标第17-18页
    1.3 抗饱和控制的发展现状及方法分类第18-22页
        1.3.1 模型预测抗饱和技术第19-20页
        1.3.2 PID抗饱和技术第20-21页
        1.3.3 内模抗饱和技术第21-22页
    1.4 论文的结构与研究内容第22-24页
第二章 内模控制与PID控制基本原理第24-34页
    2.1 引言第24页
    2.2 内模控制的基本原理第24-29页
        2.2.1 内模控制的经典结构第25-26页
        2.2.2 内模控制的基本性质第26页
        2.2.3 内模控制的设计方法第26-27页
        2.2.4 内模控制的鲁棒性第27-29页
    2.3 PID控制基本原理第29-31页
        2.3.1 PID控制的经典结构第29-30页
        2.3.2 PID控制的设计方法第30-31页
    2.4 IMC-PID及其设计方法第31-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 内模抗饱和控制相关参数分析第34-48页
    3.1 滤波器参数的λ影响分析第34-38页
        3.1.1 FOPDT仿真研究第34-36页
        3.1.2 SOPDT仿真研究第36-38页
        3.1.3 仿真结果分析第38页
    3.2 带有饱和的内模控制系统参数分析第38-46页
        3.2.1 FOPDT饱和系统参数分析第39-43页
        3.2.2 SOPDT饱和系统参数分析第43-46页
    3.3 本章小结第46-48页
第四章 基于IOA的优化补偿抗饱和IMC-PID控制器第48-66页
    4.1 经典IMC抗饱和结构分析第48-50页
    4.2 基于IOA的优化补偿抗饱和IMC控制器第50-52页
        4.2.1 一阶带时滞系统的抗饱和补偿器设计第51页
        4.2.2 二阶带时滞系统的抗饱和补偿器设计第51-52页
    4.3 基于HTD-CS的参数优化第52-55页
        4.3.1 HTD-CS基本原理第52-54页
        4.3.2 基于HTD-CS的补偿器参数优化第54-55页
        4.3.3 基于HTD-CS的抗饱和IMC-PID控制器设计第55页
    4.4 仿真研究第55-64页
        4.4.1 FOPDT仿真研究第55-60页
        4.4.2 SOPDT仿真研究第60-64页
    4.5 本章小结第64-66页
第五章 基于定性分析的多补偿器IMC-PID控制器第66-82页
    5.1 含有饱和环节的一般系统的定性分析第66-68页
    5.2 多补偿器IMC抗饱和控制器设计第68-72页
        5.2.1 多补偿器抗饱和IMC控制器的结构第68-69页
        5.2.2 多补偿器抗饱和结构可跟踪性及抗干扰性证明第69-71页
        5.2.3 多补偿器抗饱和IMC控制器的目标第71-72页
    5.3 多补偿器抗饱和IMC-PID控制器转化第72-73页
    5.4 仿真研究第73-80页
        5.4.1 模型匹配仿真研究第73-75页
        5.4.2 模型失配仿真研究第75-76页
        5.4.3 IMC-PID仿真研究第76-78页
        5.4.4 补偿器数量探讨研究第78-80页
    5.5 本章小结第80-82页
第六章 总结及展望第82-84页
参考文献第84-88页
致谢第88-90页
研究成果及发表的学术论文第90-92页
作者及导师简介第92-94页
附件第94-95页

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