| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·PMOS 辐照传感器的分类 | 第8-10页 |
| ·单介质栅PMOS 辐照传感器 | 第9页 |
| ·双介质栅PMOS 辐照传感器 | 第9页 |
| ·基于绝缘体上硅(SOI)的PMOS 辐照传感器 | 第9-10页 |
| ·PMOS 辐照传感器的发展及应用 | 第10-11页 |
| ·本课题研究的意义及主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 PMOS 辐照传感器的辐照特性的模拟 | 第12-33页 |
| ·MOS 结构的辐照效应机理 | 第12-14页 |
| ·PMOS 辐照传感器的总剂量辐照效应的模拟研究 | 第14-21页 |
| ·总剂量效应模型 | 第14-16页 |
| ·模拟结果与分析讨论 | 第16-21页 |
| ·影响PMOS 辐照传感器辐照特性的外在因素的MEDICI 模拟 | 第21-32页 |
| ·偏置对阈值电压漂移的影响 | 第24-26页 |
| ·剂量率对辐照前后阈值电压的影响 | 第26-27页 |
| ·温度对辐照后阈值电压的影响 | 第27-30页 |
| ·退火对阈值电压的影响 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 双介质栅PMOS 辐照传感器的模拟 | 第33-40页 |
| ·双介质栅PMOS 辐照传感器的结构与工作原理 | 第33-34页 |
| ·双介质栅PMOS 辐照传感器的结构 | 第33页 |
| ·双介质栅PMOS 辐照传感器的工作原理 | 第33-34页 |
| ·双介质栅PMOS 辐照传感器的辐照特性的模拟 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 基于绝缘体上硅(SOI)的新型PMOS 辐照传感器的模拟研究 | 第40-56页 |
| ·SOI MOSFET 的总剂量辐照效应 | 第40-41页 |
| ·SOI PMOS 辐照传感器的器件结构与原理 | 第41-42页 |
| ·SOI PMOS 辐照传感器的辐照特性的模拟 | 第42-54页 |
| ·器件模型及参数选取 | 第42-44页 |
| ·模拟结果与分析讨论 | 第44-52页 |
| ·SOI PMOS 辐照传感器与单介质栅PMOS 辐照传感器的模拟对比 | 第52-53页 |
| ·SOI PMOS 辐照传感器与双介质栅PMOS 辐照传感器的模拟对比 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
