功率肖特基二极管及其关键技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·功率半导体器件分类及发展方向 | 第10-11页 |
| ·功率二极管 | 第11-12页 |
| ·肖特基势垒二极管 | 第12-15页 |
| ·肖特基势垒二极管的优点及应用 | 第13页 |
| ·肖特基势垒二极管的发展现状 | 第13-15页 |
| ·结势垒控制肖特基二极管 | 第15-17页 |
| ·结势垒控制肖特基二极管的优点及应用 | 第15-16页 |
| ·结势垒控制肖特基二极管的现状 | 第16-17页 |
| ·研究内容与创新 | 第17页 |
| ·本文章节安排 | 第17-19页 |
| 第2章 半导体材料及功率肖特基二极管 | 第19-30页 |
| ·常见半导体材料特性 | 第19-20页 |
| ·肖特基接触 | 第20-21页 |
| ·肖特基势垒二极管 | 第21-23页 |
| ·正向导通特性 | 第21-22页 |
| ·反向截止特性 | 第22-23页 |
| ·结势垒控制肖特基二极管 | 第23-25页 |
| ·正向导通特性 | 第23-24页 |
| ·反向截止特性 | 第24-25页 |
| ·结电容 | 第25页 |
| ·反向恢复特性 | 第25-27页 |
| ·静电失效 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 硅基肖特基势垒二极管 | 第30-46页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管结构 | 第30页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管结构优化 | 第30-37页 |
| ·外延层优化 | 第32-35页 |
| ·结终端设计 | 第35-37页 |
| ·新结终端结构 | 第37-38页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管静态特性 | 第38-41页 |
| ·正向导通特性 | 第38-39页 |
| ·反向截止特性 | 第39-40页 |
| ·结电容 | 第40-41页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管动态特性 | 第41-44页 |
| ·反向恢复特性 | 第41-42页 |
| ·静电失效 | 第42-44页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管工艺流程 | 第44-45页 |
| ·硅基肖特基势垒二极管版图 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 碳化硅结势垒控制肖特基二极管 | 第46-59页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管结构 | 第46-48页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管结构优化 | 第48-50页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管静态特性 | 第50-55页 |
| ·正向导通特性 | 第50-52页 |
| ·反向截止特性 | 第52-54页 |
| ·结电容 | 第54-55页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管动态特性 | 第55-56页 |
| ·反向恢复特性 | 第55-56页 |
| ·静电失效 | 第56页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管工艺流程 | 第56-57页 |
| ·碳化硅结势垒控制肖特基二极管版图 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
