65nm工艺高性能SRAM的研究与实现
| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·课题的研究背景 | 第13-16页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第16-17页 |
| ·论文的结构 | 第17-18页 |
| 第二章 SRAM 技术研究现状与挑战 | 第18-32页 |
| ·SRAM 工艺技术研究现状 | 第18-22页 |
| ·低k 与高k 介质 | 第18-19页 |
| ·SOI 工艺 | 第19-20页 |
| ·FinFET 工艺 | 第20-22页 |
| ·SRAM 设计技术研究现状 | 第22-28页 |
| ·新型门控漏流电路 | 第22-24页 |
| ·单端8 管SRAM | 第24-25页 |
| ·读、写辅助电路 | 第25-27页 |
| ·双电源技术 | 第27页 |
| ·自适应与负位线电压 | 第27页 |
| ·字线与位线脉冲 | 第27-28页 |
| ·Thin-cell 版图 | 第28页 |
| ·SRAM 设计技术面临的挑战 | 第28-31页 |
| ·稳定性挑战 | 第28-29页 |
| ·二级效应 | 第29-30页 |
| ·最小电源电压 | 第30-31页 |
| ·漏电流功耗 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SRAM 的稳定性分析与研究 | 第32-61页 |
| ·6 管存储单元稳定性问题 | 第32-36页 |
| ·读写约束 | 第32-34页 |
| ·读破坏 | 第34-35页 |
| ·半选择破坏 | 第35-36页 |
| ·新型存储单元 | 第36-42页 |
| ·标准8 管存储单元 | 第36-38页 |
| ·低功耗10 管存储单元 | 第38-39页 |
| ·其它类型存储单元 | 第39-42页 |
| ·静态噪声容限 | 第42-43页 |
| ·分析存储单元SNM 的四种方法 | 第43-45页 |
| ·蝴蝶曲线分析方法 | 第43-44页 |
| ·位线电压分析方法 | 第44页 |
| ·字线电压分析方法 | 第44-45页 |
| ·N 曲线电流分析方法 | 第45页 |
| ·65nm 工艺存储单元的SNM 分析 | 第45-49页 |
| ·阈值波动环境下的SNM 分析 | 第46-47页 |
| ·亚阈值环境下的SNM 分析 | 第47-49页 |
| ·6 管与8 管结构的性能分析与对比 | 第49-53页 |
| ·稳定性分析与对比 | 第49-51页 |
| ·面积分析与对比 | 第51-52页 |
| ·漏电流分析与对比 | 第52-53页 |
| ·SRAM 稳定性加强技术的研究 | 第53-57页 |
| ·自适应读写电压 | 第53-54页 |
| ·动态字线电压 | 第54-55页 |
| ·负位线电压 | 第55-56页 |
| ·多阈值单元 | 第56-57页 |
| ·读写分开 | 第57页 |
| ·SRAM 随机失效的稳定性分析 | 第57-60页 |
| ·软错误 | 第58页 |
| ·纠错码 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 SRAM 译码电路的分析与研究 | 第61-74页 |
| ·译码电路相关描述 | 第61-62页 |
| ·静态译码器 | 第62-66页 |
| ·传统静态译码器 | 第62-63页 |
| ·树形静态译码器 | 第63-65页 |
| ·静态译码错误产生分析 | 第65-66页 |
| ·动态译码器 | 第66-70页 |
| ·动态译码电路结构 | 第66-68页 |
| ·动态译码错误产生分析 | 第68-70页 |
| ·动态译码可靠性加强技术的研究 | 第70-73页 |
| ·拆分法 | 第70-71页 |
| ·补偿法 | 第71-72页 |
| ·延迟法 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 SRAM 的优化与实现 | 第74-81页 |
| ·SRAM 的实现 | 第74-77页 |
| ·设计介绍 | 第74页 |
| ·读写策略 | 第74-76页 |
| ·译码策略 | 第76页 |
| ·版图布局 | 第76-77页 |
| ·SRAM 的优化 | 第77-79页 |
| ·面积优化 | 第77-78页 |
| ·速度优化 | 第78-79页 |
| ·功耗优化 | 第79页 |
| ·电路反标 | 第79页 |
| ·SRAM 实现结果与对比 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 结束语 | 第81-83页 |
| ·论文的工作总结及创新 | 第81-82页 |
| ·研究展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第95页 |
