摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-10页 |
第1章 引言 | 第10-29页 |
·TiO_2光催化剂的研究历史及现状 | 第10-13页 |
·光催化的原理 | 第13-16页 |
·光催化活性的影响因素 | 第16-20页 |
·晶型的影响 | 第16-17页 |
·晶粒大小的影响 | 第17-18页 |
·表面结构的影响 | 第18页 |
·能带位置对光催化性能的影响 | 第18-20页 |
·TiO_2 光催化剂的改性 | 第20-22页 |
·半导体表面贵金属的沉积 | 第20页 |
·半导体的金属离子掺杂 | 第20-21页 |
·复合半导体 | 第21-22页 |
·半导体的光敏化 | 第22页 |
·非金属离子掺杂 | 第22页 |
·新型光催化剂的研究 | 第22-23页 |
·薄膜光催化剂的研究 | 第23-27页 |
·薄膜材料的制备技术 | 第23-26页 |
·采用非晶态配合物前驱体用匀胶(Spin-coating)方法制备薄膜的优点 | 第26-27页 |
·本研究工作的主要内容和工作 | 第27-29页 |
第2章 实验药品、仪器及实验方法 | 第29-40页 |
·实验药品 | 第29页 |
·实验仪器 | 第29-37页 |
·热重-差热分析仪(TGA-DTA) | 第29-30页 |
·透射电子显微镜和扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
·X 射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
·红外光谱(IR) | 第32页 |
·拉曼光谱(Raman) | 第32-33页 |
·俄歇扫描电镜(AES) | 第33-34页 |
·比表面积测定仪 BET(Brunauer-Emmett-Teller) | 第34页 |
·光催化反应评价装置 | 第34-37页 |
·制备方法简述 | 第37-38页 |
·非晶态络合物法简述 | 第37-38页 |
·原位聚合法简述 | 第38页 |
·Ta_2O_5 薄膜的制备 | 第38-40页 |
·Si 基底的清洗 | 第38-39页 |
·Ta2O_5 溶胶的配制 | 第39页 |
·薄膜的制备 | 第39-40页 |
第3章 ZnWO4 纳米颗粒的合成及其光催化性能 | 第40-53页 |
·实验部分 | 第40-41页 |
·试剂与仪器 | 第40页 |
·样品制备 | 第40-41页 |
·光催化性能评价实验 | 第41页 |
·结果与讨论 | 第41-51页 |
·ZnWO_4 粉体生成过程 | 第41-42页 |
·ZnWO_4 晶相的形成 | 第42-44页 |
·ZnWO_4 晶体的形貌 | 第44-46页 |
·ZnWO_4 的晶体结构 | 第46-47页 |
·ZnWO_4 纳米颗粒的光催化性质 | 第47-51页 |
·本章小结 | 第51-53页 |
第4章 具有高活性宽响应的P25@PANI 合成及其光催化性能 | 第53-63页 |
·实验部分 | 第53-54页 |
·试剂与仪器 | 第53页 |
·样品制备 | 第53页 |
·光催化性能评价实验 | 第53-54页 |
·结果与讨论 | 第54-62页 |
·P25@ PANI 的制备 | 第54-57页 |
·P25 和PANI 成键的证据 | 第57-60页 |
·P25@ PANI 的光催化性质 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第5章 利用溶胶凝胶法制备Ta_2O_5薄膜的界面结构和光催化活性. | 第63-81页 |
·实验部分 | 第63-64页 |
·试剂与仪器 | 第63页 |
·样品制备 | 第63-64页 |
·光催化活性的测定 | 第64页 |
·光化学性质的测定 | 第64页 |
·结果与讨论 | 第64-80页 |
·前驱体溶液浓度对薄膜形貌的影响 | 第64-65页 |
·前驱体溶液浓度对薄膜厚度的影响 | 第65-66页 |
·甩膜层数对薄膜形貌的影响 | 第66-67页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的高分辨电镜图 | 第67-68页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的XRD 图 | 第68-69页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的界面扩散与界面反应 | 第69-74页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的光谱性质 | 第74-77页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的交流阻抗谱 | 第77页 |
·Ta_2O_5/Si 薄膜的光催化活性 | 第77-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第6章 结论 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第88页 |