| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-10页 |
| 第二章 锑化锢半导体效应 | 第10-16页 |
| 2．1 半导体电磁效应 | 第10-15页 |
| 2．1．1 霍耳效应 | 第11-13页 |
| 2．1．2 磁阻效应 | 第13-15页 |
| 2．2 半导体光电效应 | 第15-16页 |
| 2．2．1 光电导效应 | 第15页 |
| 2．2．2 光生伏特效应 | 第15-16页 |
| 第三章 电流模电路简介 | 第16-31页 |
| 3．1 基本的电流模单元电路 | 第16-22页 |
| 3．1．1 电流镜 | 第16-17页 |
| 3．1．2 开关电流电路 | 第17-18页 |
| 3．1．3 跨导线性(TL)回路 | 第18-19页 |
| 3．1．4 电流传输器 | 第19-20页 |
| 3．1．5 电流反馈运算放大器 | 第20-21页 |
| 3．1．6 支撑电路 | 第21-22页 |
| 3．2 电流源的选择 | 第22-31页 |
| 3．2．1 镜像电流源 | 第22-24页 |
| 3．2．2 利用恒流二极管和恒流三极管构成的恒流源 | 第24-26页 |
| 3．2．3 采用运放构成的压控恒流源 | 第26-27页 |
| 3．2．4 采用集成稳压器构成的恒流源 | 第27-28页 |
| 3．2．5 采用恒流源模块构成的恒流源 | 第28-31页 |
| 第四章 实验系统的设计与分析 | 第31-47页 |
| 4．1 芯片的设计 | 第32页 |
| 4．2 放大处理电路的结构设计 | 第32-39页 |
| 4．2．1 放大处理电路的选择 | 第33页 |
| 4．2．2 前置放大器的设计 | 第33-38页 |
| 4．2．3 后续处理电路的设计 | 第38-39页 |
| 4．3 激励源电流大小与信号输出的关系 | 第39-42页 |
| 4．3．1 分析 | 第39-40页 |
| 4．3．2 实验测试 | 第40-41页 |
| 4．3．3 讨论 | 第41-42页 |
| 4．4 外加磁场的大小和输出信号的关系 | 第42-44页 |
| 4．4．1 理论分析 | 第42页 |
| 4．4．2 实验测试 | 第42-44页 |
| 4．4．3 讨论 | 第44页 |
| 4．5 整个系统的设计方案的分析 | 第44-47页 |
| 第五章 锑化铟磁阻元件在电流放大模式下的理论探讨 | 第47-53页 |
| 5．1 磁阻元件在恒流电场下运动情况分析 | 第47-50页 |
| 5．1．1 真空磁传感器的工作原理 | 第47-48页 |
| 5．1．2 恒流场下磁阻元件的输出分析 | 第48-50页 |
| 5．2 锑化锢磁阻元件的内部载流子在外加磁场下的运动情况 | 第50-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-56页 |
| 主要参考文献 | 第56-58页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |