| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| 1．1 MEMS 概况 | 第7-11页 |
| 1．1．1 MEMS组成 | 第7-8页 |
| 1．1．2 MEMS的主要特点 | 第8页 |
| 1．1．3 MEMS的制造技术 | 第8-11页 |
| 1．1．4 MEMS的发展现状 | 第11页 |
| 1．2 本论文研究目的及开展的工作 | 第11-13页 |
| 第二章 应用于MEMS中多孔硅的概述 | 第13-18页 |
| 2．1 多孔硅概述 | 第13-14页 |
| 2．2 多孔硅特性及其在MEMS中应用的优势 | 第14-16页 |
| 2．2．1 多孔硅在MEMS中作为牺牲层应用的优势 | 第14-16页 |
| 2．2．2 多孔硅在MEMS中作为绝热层应用的优势 | 第16页 |
| 2．3 多孔硅在MEMS中的应用现状 | 第16-18页 |
| 第三章 多孔硅制备方法研究 | 第18-26页 |
| 3．1 电化学腐蚀多孔硅的反应原理 | 第18-19页 |
| 3．2 多孔硅的形成机制 | 第19-20页 |
| 3．3 双槽电化学法制备多孔硅 | 第20-23页 |
| 3．3．1 双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的试验原理及装置 | 第20-21页 |
| 3．3．2 双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的实验方法及步骤 | 第21-23页 |
| 3．4 原电池法制备多孔硅 | 第23-26页 |
| 3．4．1 原电池法制备多孔硅的实验原理及装置 | 第23-24页 |
| 3．4．2 原电池法制备多孔硅的实验方法及步骤 | 第24-26页 |
| 第四章 多孔硅基本特性的研究 | 第26-38页 |
| 4．1 电化学法制备多孔硅的实验研究 | 第26-34页 |
| 4．1．1 多孔硅表面形貌分析 | 第26-31页 |
| 4．1．2 多孔硅孔隙率的研究 | 第31-32页 |
| 4．1．3 多孔硅腐蚀深度和腐蚀速率的研究 | 第32-34页 |
| 4．2 原电池法制备多孔硅的实验研究 | 第34-38页 |
| 4．2．1 背电极的制作 | 第34-35页 |
| 4．2．2 多孔硅表面形貌分析 | 第35-38页 |
| 第五章 多孔硅残余应力的研究 | 第38-44页 |
| 5．1 多孔硅龟裂现象 | 第38-39页 |
| 5．2 微拉曼法测多孔硅应力原理 | 第39-42页 |
| 5．2．1 拉曼散射 | 第39-40页 |
| 5．2．2 拉曼频移与应变 | 第40-42页 |
| 5．3 多孔硅残余应力的微拉曼光谱研究结果及分析 | 第42-44页 |
| 第六章 多孔硅热导率的微拉曼光谱测量 | 第44-53页 |
| 6．1 多孔硅热导率的测量方法 | 第44-45页 |
| 6．1．1 热波法(Thermal wave method) | 第44页 |
| 6．1．2 光声法(Photoacoustic technique) | 第44-45页 |
| 6．1．3 微拉曼光谱法(Micro-Raman Spectroscopy) | 第45页 |
| 6．2 微拉曼光谱法测量多孔硅热导率原理 | 第45-46页 |
| 6．3 实验结果及分析 | 第46-49页 |
| 6．4 多孔硅的Ansys热学性能模拟 | 第49-53页 |
| 6．4．1 Ansys软件简介 | 第49-50页 |
| 6．4．2 多孔硅的热学性能模拟 | 第50-53页 |
| 第七章 多孔硅绝热性能研究 | 第53-60页 |
| 7．1 多孔硅在微热敏传感器中应用实例 | 第53-54页 |
| 7．2 多孔硅绝热性能研究 | 第54-60页 |
| 7．2．1 多孔硅绝热性能测量方法 | 第54-56页 |
| 7．2．2 实验结果及分析 | 第56-60页 |
| 第八章 结论与展望 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
