| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-18页 |
| ·InN的基本性质 | 第11-13页 |
| ·InN的物理性质 | 第11-12页 |
| ·InN的化学性质 | 第12页 |
| ·InN的电学性质 | 第12-13页 |
| ·InN的光学性质 | 第13页 |
| ·InN半导体材料的生长技术 | 第13-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第13-14页 |
| ·溅射镀膜 | 第14-15页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第15页 |
| ·InN半导体材料的衬底选择 | 第15-17页 |
| ·α-Al_2O_3衬底 | 第16页 |
| ·Si衬底 | 第16页 |
| ·玻璃衬底 | 第16-17页 |
| ·ZnO衬底 | 第17页 |
| ·本文研究的意义和研究内容 | 第17-18页 |
| 2 实验及表征方法 | 第18-30页 |
| ·单靶磁控溅射 | 第18-19页 |
| ·ECR-PEMOCVD | 第19-22页 |
| ·ECR-PEMOCVD技术 | 第19-21页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备结构与特征 | 第21-22页 |
| ·薄膜的生长方式 | 第22-24页 |
| ·表征方法 | 第24-28页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第24-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| ·透射光谱 | 第28页 |
| ·衬底的制备 | 第28-30页 |
| ·玻璃衬底预处理 | 第29页 |
| ·AZO中间层制备 | 第29-30页 |
| 3 不同TMIn流量对AZO玻璃衬底低温沉积InN薄膜特性影响 | 第30-38页 |
| ·不同TMIn流量下InN薄膜制备 | 第30-31页 |
| ·结果与分析 | 第31-37页 |
| ·结晶质量分析 | 第31-34页 |
| ·表面形貌分析 | 第34-35页 |
| ·透射谱分析 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 4 不同沉积温度对AZO玻璃衬底低温沉积InN薄膜特性影响 | 第38-44页 |
| ·不同沉积温度下InN薄膜制备 | 第38页 |
| ·结果与分析 | 第38-43页 |
| ·结晶质量分析 | 第38-41页 |
| ·表面形貌分析 | 第41-42页 |
| ·透射谱分析 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |