| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 涂层概述 | 第13-14页 |
| 1.2 等离子体技术制备涂层 | 第14-17页 |
| 1.2.1 低温等离子体简介 | 第14页 |
| 1.2.2 大气压等离子体技术制备涂层 | 第14-17页 |
| 1.3 大气压射频等离子体制备涂层 | 第17-21页 |
| 1.3.1 射频等离子体简介 | 第17页 |
| 1.3.2 射频容性耦合等离子体制备薄膜 | 第17-20页 |
| 1.3.3 感应耦合热等离子体喷涂 | 第20-21页 |
| 1.4 射频等离子体模式转变 | 第21-23页 |
| 1.5 等离子体特性参数及诊断方法 | 第23-24页 |
| 1.6 论文主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 E-H模式放电转变及稳定H模式放电的产生 | 第25-34页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 实验装置 | 第25-26页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第26-33页 |
| 2.3.1 E-H模式转变过程的实验与讨论 | 第27-29页 |
| 2.3.2 边气流导致的E-H转变消散 | 第29-30页 |
| 2.3.3 H模式下环形到团状放电的转变过程 | 第30-31页 |
| 2.3.4 输入功率、气体流速和成分对转变过程的影响 | 第31-33页 |
| 2.4 小结 | 第33-34页 |
| 第3章 大气压射频E模式放电诊断 | 第34-45页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验装置 | 第34-35页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第35-44页 |
| 3.3.1 着火过程与电压电流测量 | 第35-37页 |
| 3.3.2 放电的击穿与维持机理讨论 | 第37-39页 |
| 3.3.3 发射光谱分析 | 第39-40页 |
| 3.3.4 气体温度 | 第40-41页 |
| 3.3.5 电子激发温度 | 第41-42页 |
| 3.3.6 电子数密度 | 第42-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第4章 大气压射频E模式放电沉积铜膜过程研究 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 E模式放电沉积薄膜过程分析 | 第45-47页 |
| 4.2.1 电极烧蚀简介 | 第46页 |
| 4.2.2 成核与生长过程简介 | 第46-47页 |
| 4.3 实验部分 | 第47-48页 |
| 4.3.1 实验装置 | 第47-48页 |
| 4.3.2 等离子体诊断装置 | 第48页 |
| 4.3.3 铜膜表征 | 第48页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第48-55页 |
| 4.4.1 输入功率对铜膜沉积过程的影响 | 第48-51页 |
| 4.4.2 氢气浓度对铜膜沉积过程的影响 | 第51-54页 |
| 4.4.3 放电气体流量对铜膜沉积过程的影响 | 第54-55页 |
| 4.5 小结 | 第55-56页 |
| 第5章 大气压射频H模式放电诊断 | 第56-65页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 气体成分对等离子体特性参数的影响 | 第56-57页 |
| 5.3 实验装置 | 第57-59页 |
| 5.4 实验结果与讨论 | 第59-64页 |
| 5.4.1 放电形态 | 第59-60页 |
| 5.4.2 发射光谱 | 第60页 |
| 5.4.3 电子激发温度 | 第60-61页 |
| 5.4.4 电子密度 | 第61-62页 |
| 5.4.5 局域热力学平衡 | 第62-63页 |
| 5.4.6 有无碳化硼颗粒的发射光谱对比 | 第63-64页 |
| 5.5 小结 | 第64-65页 |
| 第6章 大气压射频H模式放电制备碳化硼涂层 | 第65-79页 |
| 6.1 引言 | 第65-66页 |
| 6.2 感应耦合热等离子体喷涂过程分析 | 第66-67页 |
| 6.3 实验装置及流程 | 第67-69页 |
| 6.3.1 感应耦合等离子体炬喷涂装置 | 第67-69页 |
| 6.3.2. 碳化硼涂层表征 | 第69页 |
| 6.4 实验结果与讨论 | 第69-77页 |
| 6.4.1 收缩喷嘴对颗粒的加速及涂层制备影响 | 第69-71页 |
| 6.4.2 边气中引入氢气对颗粒加热的影响 | 第71-72页 |
| 6.4.3 边气中氢气含量对碳化硼涂层制备影响 | 第72-73页 |
| 6.4.4 涂层表征 | 第73-75页 |
| 6.4.5 碳化硼/铜梯度涂层材料 | 第75-77页 |
| 6.5 小结 | 第77-79页 |
| 第7章 总结和展望 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第92-94页 |