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硅基单端推挽式驱动载流子耗尽型电光调制器芯片研究

摘要第3-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第12-38页
    1.1 硅基载流子色散型调制器的研究背景与现状第12-27页
        1.1.1 硅基载流子色散型调制器的研究背景第12-18页
        1.1.2 硅基载流子色散调制器研究简介第18-27页
    1.2 硅基载流子耗尽型马赫曾德尔调制器的研究现状与面临问题第27-35页
        1.2.1 硅基载流子耗尽型马赫曾德尔调制器的研究现状第27-33页
        1.2.2 硅基载流子耗尽型调制器面临的问题第33-35页
    1.3 本论文结构安排及主要内容第35-38页
第二章 单端推挽驱动载流子耗尽型调制器等效电路模型第38-69页
    2.1 差分调制器的介绍及其等效电路分析第38-46页
    2.2 单端推挽驱动硅基调制器的提出以及其等效电路模型的建立第46-63页
        2.2.1 单端推挽驱动硅基调制器的提出第46-48页
        2.2.2 等效电路模型的建立第48-63页
    2.3 等效电路模型正确性的验证第63-68页
    2.4 本章小结第68-69页
第三章 单端推挽硅基载流子耗尽型MZI调制器的设计与实现第69-100页
    3.1 衡量MZI调制器性能的基本概念第69-72页
    3.2 调制器设计与优化第72-83页
        3.2.1 光学结构设计第72-74页
        3.2.2 电学结构设计第74-83页
    3.3 单端推挽驱动的硅基MZI调制器的测试第83-99页
        3.3.1 芯片制作第83-86页
        3.3.2 芯片测试平台第86-87页
        3.3.3 调制器直流测试第87-89页
        3.3.4 调制器小信号动态测试第89-92页
        3.3.5 调制器高速调制测试第92-99页
    3.4 本章小结第99-100页
第四章 硅基调制器的线性度研究第100-127页
    4.1 硅基载流子耗尽型调制器线性度的研究第100-114页
        4.1.1 MZI调制器的线性度分析第100-105页
        4.1.2 单端推挽驱动硅基载流子耗尽型的线性度测试第105-114页
    4.2 基于IQ调制器的双平行调制器以提高调制器的线性度第114-124页
        4.2.1 工作原理的研究第114-119页
        4.2.2 开关性能测试与比较第119-124页
    4.3 硅基MZI调制器线性度的讨论第124-125页
    4.4 本章小结第125-127页
第五章 总结与展望第127-130页
    5.1 研究总结第127-128页
    5.2 研究展望第128-130页
参考文献第130-140页
附录一 符号与标记第140-142页
攻读博士学位期间已发表或录用的论文第142-144页
攻读博士学位期间参与的科研项目第144-145页
致谢第145-148页

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