| 摘要 | 第12-13页 |
| ABSTRACT | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-25页 |
| 1.2.1 MTP存储单元结构研究现状 | 第19-21页 |
| 1.2.2 MTP存储单元紧凑模型研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.3 MTP存储单元耐久性模型研究现状 | 第22-23页 |
| 1.2.4 MTP存储单元保持性模型研究现状 | 第23-25页 |
| 1.3 研究内容和组织结构 | 第25-29页 |
| 第二章 MTP存储单元的结构设计 | 第29-57页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 伪差分结构的MTP存储单元 | 第29-35页 |
| 2.2.1 单元结构与操作 | 第29-31页 |
| 2.2.2 实验验证与分析 | 第31-35页 |
| 2.3 基于改进N阱电容的MTP存储单元 | 第35-46页 |
| 2.3.1 改进的N阱电容 | 第35-38页 |
| 2.3.2 单元结构与操作 | 第38-40页 |
| 2.3.3 实验验证与分析 | 第40-46页 |
| 2.4 增强型擦除机制 | 第46-55页 |
| 2.4.1 不同器件栅电流分析 | 第47-50页 |
| 2.4.2 增强型擦除机制的提出 | 第50-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 MTP存储单元的紧凑模型 | 第57-83页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 基于电荷平衡方程的MTP单元紧凑模型 | 第57-69页 |
| 3.2.1 电荷平衡方程 | 第57-59页 |
| 3.2.2 单元阈值电压 | 第59页 |
| 3.2.3 单元读出电流 | 第59页 |
| 3.2.4 MOS器件栅电荷及栅电容的推导 | 第59-69页 |
| 3.3 直流及瞬态实验验证与讨论 | 第69-76页 |
| 3.3.1 直流实验结果 | 第71-76页 |
| 3.3.2 瞬态实验结果 | 第76页 |
| 3.4 紧凑模型在单元优化中的应用 | 第76-80页 |
| 3.5 本章小结 | 第80-83页 |
| 第四章 MTP存储单元的耐久性模型 | 第83-115页 |
| 4.1 引言 | 第83页 |
| 4.2 电子T-D模型 | 第83-90页 |
| 4.2.1 非弹性TAT机制建模 | 第85-87页 |
| 4.2.2 陷阱电荷热发射越过势垒 | 第87-88页 |
| 4.2.3 电子T-D模型仿真流程 | 第88页 |
| 4.2.4 实验验证与分析 | 第88-90页 |
| 4.3 氧化层陷阱产生模型 | 第90-105页 |
| 4.3.1 体陷阱产生模型 | 第91-99页 |
| 4.3.2 界面陷阱产生模型 | 第99-103页 |
| 4.3.3 体陷阱分布模型 | 第103-105页 |
| 4.4 MTP存储单元的耐久性建模及分析 | 第105-111页 |
| 4.4.1 氧化层陷阱对隧穿电流的影响分析 | 第105-108页 |
| 4.4.2 氧化层陷阱对阈值电压的影响分析 | 第108-109页 |
| 4.4.3 耐久性仿真流程 | 第109-110页 |
| 4.4.4 实验验证与分析 | 第110-111页 |
| 4.5 本章小结 | 第111-115页 |
| 第五章 MTP存储单元的保持性模型 | 第115-153页 |
| 5.1 引言 | 第115页 |
| 5.2 氧化层陷阱恢复模型 | 第115-119页 |
| 5.2.1 体陷阱恢复模型 | 第115-118页 |
| 5.2.2 界面陷阱恢复模型 | 第118-119页 |
| 5.3 MTP存储单元浮栅漏电机理研究 | 第119-141页 |
| 5.3.1 CESL电容效应 | 第121-124页 |
| 5.3.2 直接隧穿电流模型 | 第124-126页 |
| 5.3.3 SILC模型 | 第126-134页 |
| 5.3.4 热发射电流模型 | 第134-141页 |
| 5.4 MTP存储单元的保持性建模及分析 | 第141-151页 |
| 5.4.1 支持蒙塔卡罗分析具有单电子电荷粒度的保持性仿真架构 | 第141-144页 |
| 5.4.2 实验验证与分析 | 第144-151页 |
| 5.5 本章小结 | 第151-153页 |
| 第六章 总结与展望 | 第153-157页 |
| 6.1 工作总结 | 第153-155页 |
| 6.2 工作展望 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157-159页 |
| 参考文献 | 第159-175页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第175-177页 |