基于标准CMOS工艺的环境光与接近距离传感器的研制
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 研究意义及目的 | 第13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.1 国外现状 | 第13-15页 |
| 1.2.2 国内现状 | 第15页 |
| 1.3 CMOS集成电路设计流程 | 第15-17页 |
| 1.4 论文主要内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 传感器设计概述 | 第19-29页 |
| 2.1 设计描述 | 第19-21页 |
| 2.1.1 设计特点 | 第19页 |
| 2.1.2 传感器外观结构设计 | 第19-21页 |
| 2.2 传感器内部结构 | 第21-23页 |
| 2.3 传感器设计指标 | 第23-28页 |
| 2.3.1 传感器引脚设定 | 第23-24页 |
| 2.3.2 电气特性指标 | 第24-26页 |
| 2.3.3 传感器红外光源选择 | 第26页 |
| 2.3.4 传感器寄存器分配设定 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 传感器工作模式与应用 | 第29-41页 |
| 3.1 环境光探测方式 | 第30-35页 |
| 3.2 接近距离探测方式 | 第35-38页 |
| 3.3 传感器应用电路 | 第38-39页 |
| 3.3.1 应用领域 | 第38页 |
| 3.3.2 典型应用电路 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 关键电路设计与仿真 | 第41-67页 |
| 4.1 硅基光电二极管设计 | 第41-47页 |
| 4.1.1 硅基光电二极管结构 | 第43-44页 |
| 4.1.2 硅基光电二极管优化 | 第44-47页 |
| 4.1.3 硅基光电二极管版图设计 | 第47页 |
| 4.2 带隙基准设计 | 第47-52页 |
| 4.2.1 带隙基准设计概述 | 第47-49页 |
| 4.2.2 带隙基准设计与仿真 | 第49-52页 |
| 4.3 电流-电压放大器设计 | 第52-57页 |
| 4.3.1 电流-电压放大器设计概述 | 第52-53页 |
| 4.3.2 电流-电压放大器分类 | 第53-54页 |
| 4.3.3 跨阻放大器电路设计与仿真 | 第54-57页 |
| 4.4 逐次逼近型模数转换器设计 | 第57-65页 |
| 4.4.1 数字-模拟转换器设计 | 第59-62页 |
| 4.4.2 比较器设计 | 第62-64页 |
| 4.4.3 逐次逼近逻辑设计 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 测试与分析 | 第67-73页 |
| 5.1 光谱响应曲线测试 | 第67-69页 |
| 5.2 环境光照度标定 | 第69-70页 |
| 5.3 接近距离测试 | 第70-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 总结 | 第73页 |
| 6.2 展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
