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500V沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 单片智能功率芯片及其工艺第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-15页
        1.2.1 国内外LIGBT电流能力研究现状第11-12页
        1.2.2 国内外LIGBT关断时间研究现状第12-13页
        1.2.3 国内外LIGBT短路能力研究现状第13-15页
        1.2.4 SOI-LIGBT发展趋势及难点第15页
    1.3 研究内容和设计指标第15-17页
        1.3.1 研究内容第15-16页
        1.3.2 设计指标第16-17页
    1.4 论文组织结构第17-19页
第二章 SOI-LIGBT器件设计理论第19-33页
    2.1 SOI-LIGBT基本特性介绍第19-21页
        2.1.1 SOI-LIGBT的基本结构第19页
        2.1.2 SOI-LIGBT的工作原理第19-21页
    2.2 静态参数设计原理第21-24页
        2.2.1 器件耐压设计原理第21-23页
        2.2.2 阈值电压设计原理第23页
        2.2.3 电流密度提升原理第23-24页
    2.3 闩锁特性设计原理第24-25页
    2.4 关断特性设计原理第25-28页
        2.4.1 关断曲线第26-27页
        2.4.2 关断时耗尽区和载流子变化第27-28页
    2.5 短路电流设计原理第28-31页
        2.5.1 短路失效类型第29-30页
        2.5.2 短路特性优化方向第30-31页
    2.6 本章小结第31-33页
第三章 新型沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件关断及短路特性优化设计第33-55页
    3.1 传统平面栅U型沟道SOI-LIGBT的器件工作原理与缺点第33-40页
        3.1.1 器件工作原理第33-34页
        3.1.2 关断特性第34-36页
        3.1.3 短路特性第36-40页
    3.2 新型沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件工作原理和静态参数第40-47页
        3.2.1 器件工作原理第40-42页
        3.2.2 静态参数第42-47页
    3.3 新型沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件的关断特性分析第47-50页
        3.3.1 关断特性的模拟仿真第47-48页
        3.3.2 关断前载流子分布情况第48页
        3.3.3 关断初期的耗尽层展宽第48-49页
        3.3.4 关断中期的载流子分布第49-50页
        3.3.5 关断末期的载流子复合第50页
    3.4 新型沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件的短路特性分析第50-54页
        3.4.1 短路特性的模拟仿真第50-51页
        3.4.2 短路失效分析第51-54页
    3.5 本章小结第54-55页
第四章 新型沟槽栅U型沟道SOI-LIGBT器件的流片与测试第55-65页
    4.1 工艺流程第55-58页
    4.2 版图设计第58-59页
    4.3 测试结果第59-63页
        4.3.1 阈值电压测试第59-60页
        4.3.2 击穿电压测试第60页
        4.3.3 电流能力测试第60-61页
        4.3.4 闩锁电压测试第61页
        4.3.5 关断时间测试第61-62页
        4.3.6 短路电流测试第62-63页
    4.4 本章小结第63-65页
第五章 总结和展望第65-67页
    5.1 总结第65-66页
    5.2 展望第66-67页
致谢第67-69页
参考文献第69-73页
攻读硕士学位期间的成果和发表的论文第73-74页

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