低压低漏电瞬态抑制二极管工艺设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-11页 |
| 1.1 选题背景 | 第9页 |
| 1.1.1 国际TVS现状及发展趋势 | 第9页 |
| 1.1.2 国内TVS现状及发展趋势 | 第9页 |
| 1.1.3 未来TVS发展方向 | 第9页 |
| 1.2 课题研究的必要性 | 第9-10页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第10-11页 |
| 2 与TVS相关的半导体技术基础 | 第11-21页 |
| 2.1 半导体硅的晶体结构 | 第11页 |
| 2.2 半导体材料相关术语 | 第11-15页 |
| 2.2.1 晶向及晶面 | 第11-13页 |
| 2.2.2 缺陷 | 第13-14页 |
| 2.2.3 能带 | 第14-15页 |
| 2.2.4 施主与受主 | 第15页 |
| 2.3 半导体的分类 | 第15-17页 |
| 2.4 TVS | 第17-21页 |
| 2.4.1 TVS的原理 | 第17-18页 |
| 2.4.2 TVS的分类 | 第18页 |
| 2.4.3 TVS的特点 | 第18页 |
| 2.4.4 TVS的应用 | 第18页 |
| 2.4.5 TVS的主要技术参数 | 第18-21页 |
| 3 TVS的设计与流片工艺 | 第21-50页 |
| 3.1 半导体产品工艺环境 | 第21-25页 |
| 3.1.1 净化等级 | 第21-22页 |
| 3.1.2 环境温湿度 | 第22页 |
| 3.1.3 生产中控制污染的9种技术 | 第22-25页 |
| 3.2 TVS设计方案论证 | 第25-32页 |
| 3.2.1 TVS设计参数的确定 | 第25-27页 |
| 3.2.2 TVS设计方案的确定 | 第27-32页 |
| 3.3 TVS流片工艺 | 第32-50页 |
| 3.3.1 外延片准备及标识 | 第33页 |
| 3.3.2 清洗 | 第33-35页 |
| 3.3.3 初始氧化 | 第35-38页 |
| 3.3.4 光刻 | 第38-42页 |
| 3.3.5 硼扩散 | 第42页 |
| 3.3.6 退火 | 第42页 |
| 3.3.7 RTP快速退火 | 第42页 |
| 3.3.8 金属蒸发 | 第42-44页 |
| 3.3.9 合金 | 第44页 |
| 3.3.10 减薄 | 第44页 |
| 3.3.11 背面金属化 | 第44-45页 |
| 3.3.12 测试 | 第45页 |
| 3.3.13 划片 | 第45-48页 |
| 3.3.14 后道封装 | 第48-50页 |
| 4 测试数据及分析 | 第50-56页 |
| 4.1 TVS产品电参数曲线的实际测试及数据分析 | 第50-52页 |
| 4.1.1 金属化后的测试数据及分析 | 第50-51页 |
| 4.1.2 中测数据及分析 | 第51-52页 |
| 4.2 TVS产品可靠性试验 | 第52-56页 |
| 4.2.1 TVS产品封装后测试及分析 | 第52-54页 |
| 4.2.2 TVS产品抗静电试验及分析 | 第54-55页 |
| 4.2.3 TVS产品直流老化 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
