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硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料生长及器件制备研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第12-31页
    1.1 研究背景第12-13页
    1.2 GaAs/Si材料异变外延发展现状第13-19页
    1.3 硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器发展现状第19-21页
        1.3.1 直接外延硅基GaAs量子阱激光器第19-20页
        1.3.2 直接外延硅基量子点激光器第20-21页
    1.4 本论文的研究工作第21-22页
    参考文献第22-31页
第二章 半导体材料外延及表征技术第31-41页
    2.1 金属有机化学气相沉淀技术(MOCVD)第31-34页
    2.2 半导体材料表征技术第34-40页
        2.2.1 X射线衍射仪(XRD)第34-35页
        2.2.2 荧光光谱测试仪(PL)第35-36页
        2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)第36-37页
        2.2.4 透射电子显微镜(TEM)第37-38页
        2.2.5 原子力显微镜(AFM)第38-39页
        2.2.6 电化学CV测试仪(ECV)第39-40页
    2.3 本章小结第40页
    参考文献第40-41页
第三章 硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料制备研究第41-50页
    3.1 生长条件影响因素第41-42页
    3.2 硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料生长第42-46页
    3.3 硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料表征测试第46-49页
    3.4 本章小结第49页
    参考文献第49-50页
第四章 硅基激光器芯片制备工艺研究第50-63页
    4.1 激光器工艺制备技术第50-51页
        4.1.1 光刻第50-51页
        4.1.2 磁控溅射第51页
    4.2 激光器芯片制备第51-59页
        4.2.1 GaAs基激光器芯片制作第53-55页
        4.2.2 Si基激光器芯片制作第55-59页
    4.3 激光器芯片测试与分析第59-62页
    4.4 本章小结第62页
    参考文献第62-63页
第五章 硅基InAs/GaAs量子点生长研究第63-72页
    5.1 量子点概述第63-64页
    5.2 单层硅基InAs/GaAs量子点生长研究第64-68页
    5.3 多层硅基InAs/GaAs量子点生长研究第68-71页
    5.4 本章小结第71页
    参考文献第71-72页
第六章 GaAs/Si材料异变外延第72-106页
    6.1 GaAs/Si三步生长法第72-75页
    6.2 量子点位错阻挡层第75-86页
        6.2.1 量子点位错阻挡层介绍第75-76页
        6.2.2 量子点位错阻挡层理论计算第76-79页
        6.2.3 量子点位错阻挡层生长条件优化第79-84页
        6.2.4 量子点位错阻挡层结合三步生长法第84-86页
    6.3 无定形硅缓冲层第86-103页
        6.3.1 无定形硅缓冲层介绍第87页
        6.3.2 无定形硅缓冲层实验优化第87-90页
        6.3.3 无定形硅缓冲层结合传统两步法第90-92页
        6.3.4 无定形硅缓冲层结合三步生长法第92-103页
    6.4 本章小结第103页
    参考文献第103-106页
第七章 工作总结与展望第106-108页
致谢第108-110页
攻读博士学位期间发表学术论文目录第110-112页
攻读博士学位期间申请发明专利目录第112页

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