| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 GaAs/Si材料异变外延发展现状 | 第13-19页 |
| 1.3 硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器发展现状 | 第19-21页 |
| 1.3.1 直接外延硅基GaAs量子阱激光器 | 第19-20页 |
| 1.3.2 直接外延硅基量子点激光器 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-31页 |
| 第二章 半导体材料外延及表征技术 | 第31-41页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉淀技术(MOCVD) | 第31-34页 |
| 2.2 半导体材料表征技术 | 第34-40页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第34-35页 |
| 2.2.2 荧光光谱测试仪(PL) | 第35-36页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第36-37页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第37-38页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第38-39页 |
| 2.2.6 电化学CV测试仪(ECV) | 第39-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料制备研究 | 第41-50页 |
| 3.1 生长条件影响因素 | 第41-42页 |
| 3.2 硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料生长 | 第42-46页 |
| 3.3 硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料表征测试 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 硅基激光器芯片制备工艺研究 | 第50-63页 |
| 4.1 激光器工艺制备技术 | 第50-51页 |
| 4.1.1 光刻 | 第50-51页 |
| 4.1.2 磁控溅射 | 第51页 |
| 4.2 激光器芯片制备 | 第51-59页 |
| 4.2.1 GaAs基激光器芯片制作 | 第53-55页 |
| 4.2.2 Si基激光器芯片制作 | 第55-59页 |
| 4.3 激光器芯片测试与分析 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 硅基InAs/GaAs量子点生长研究 | 第63-72页 |
| 5.1 量子点概述 | 第63-64页 |
| 5.2 单层硅基InAs/GaAs量子点生长研究 | 第64-68页 |
| 5.3 多层硅基InAs/GaAs量子点生长研究 | 第68-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第六章 GaAs/Si材料异变外延 | 第72-106页 |
| 6.1 GaAs/Si三步生长法 | 第72-75页 |
| 6.2 量子点位错阻挡层 | 第75-86页 |
| 6.2.1 量子点位错阻挡层介绍 | 第75-76页 |
| 6.2.2 量子点位错阻挡层理论计算 | 第76-79页 |
| 6.2.3 量子点位错阻挡层生长条件优化 | 第79-84页 |
| 6.2.4 量子点位错阻挡层结合三步生长法 | 第84-86页 |
| 6.3 无定形硅缓冲层 | 第86-103页 |
| 6.3.1 无定形硅缓冲层介绍 | 第87页 |
| 6.3.2 无定形硅缓冲层实验优化 | 第87-90页 |
| 6.3.3 无定形硅缓冲层结合传统两步法 | 第90-92页 |
| 6.3.4 无定形硅缓冲层结合三步生长法 | 第92-103页 |
| 6.4 本章小结 | 第103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第七章 工作总结与展望 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文目录 | 第110-112页 |
| 攻读博士学位期间申请发明专利目录 | 第112页 |