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一种抗辐射电流型脉宽调制器的设计与实现

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 课题研究的背景及意义第11-12页
    1.2 国内外研究历史与现状第12-13页
    1.3 脉宽调制器的基本原理第13-14页
    1.4 本论文的结构安排第14-16页
第二章 脉宽调制器的整体结构及原理第16-23页
    2.1 整体电路设计第16-19页
        2.1.1 系统框图第16-17页
        2.1.2 设计指标第17-18页
        2.1.3 功能模块介绍第18-19页
    2.2 PWM控制方式分类第19-22页
        2.2.1 电压型PWM控制第19-21页
        2.2.2 电流型PWM控制第21-22页
    2.3 本章小结第22-23页
第三章 单元模块电路设计与实现第23-55页
    3.1 基准源第23-31页
        3.1.1 带隙基准的基本原理第23-26页
        3.1.2 带隙基准电路设计第26-30页
        3.1.3 带隙基准的仿真结果第30-31页
    3.2 运算放大器第31-35页
        3.2.1 运算放大器的基本原理第31-32页
        3.2.2 运算放大器电路设计第32-34页
        3.2.3 运算放大器的仿真结果第34-35页
    3.3 比较器第35-39页
        3.3.1 比较器的基本原理第36-37页
        3.3.2 比较器电路设计第37-38页
        3.3.3 比较器的仿真结果第38-39页
    3.4 振荡器第39-44页
        3.4.1 振荡器的基本原理第40-41页
        3.4.2 振荡器电路设计第41-43页
        3.4.3 振荡器的仿真结果第43-44页
    3.5 欠压锁定电路第44-47页
        3.5.1 欠压锁定电路设计第44-46页
        3.5.2 欠压锁定电路的仿真结果第46-47页
    3.6 输出驱动电路第47-49页
        3.6.1 输出驱动电路设计第47-48页
        3.6.2 输出驱动电路的仿真结果第48-49页
    3.7 PWM调制电路第49-53页
        3.7.1 RS触发器电路设计第49-51页
        3.7.2 T触发器电路设计第51-52页
        3.7.3 或门设计第52-53页
    3.8 偏置电路第53-54页
    3.9 本章小结第54-55页
第四章 抗总剂量辐射加固设计第55-83页
    4.1 总剂量辐射的影响第55-58页
        4.1.1 总剂量辐射效应第55-56页
        4.1.2 双极型晶体管的辐照效应第56-58页
    4.2 线路加固设计方法第58-70页
        4.2.1 基准源单元加固设计第58-63页
        4.2.2 运算放大器单元加固设计第63-68页
        4.2.3 比较器单元加固设计第68-70页
    4.3 工艺加固设计方法第70-82页
        4.3.1 全流程抗辐射加固工艺设计第70-74页
        4.3.2 关键单工艺抗辐射加固设计第74-75页
        4.3.3 抗辐射加固工艺版图优化设计第75-79页
        4.3.4 抗辐射加固能力提升效果第79-82页
    4.4 本章小结第82-83页
第五章 版图设计与参数测试第83-91页
    5.1 版图设计第83-87页
        5.1.1 32 V双极工艺设计规则第83-84页
        5.1.2 单元版图设计第84-87页
    5.2 指标测试情况第87-90页
        5.2.1 常态测试结果第87-88页
        5.2.2 典型参数的特性曲线第88-89页
        5.2.3 总剂量辐照摸底第89-90页
    5.3 本章小结第90-91页
第六章 总结与展望第91-93页
    6.1 全文总结第91-92页
    6.2 工作展望第92-93页
致谢第93-94页
参考文献第94-97页
攻硕期间取得的研究成果第97页

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