一种抗辐射电流型脉宽调制器的设计与实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第12-13页 |
| 1.3 脉宽调制器的基本原理 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 脉宽调制器的整体结构及原理 | 第16-23页 |
| 2.1 整体电路设计 | 第16-19页 |
| 2.1.1 系统框图 | 第16-17页 |
| 2.1.2 设计指标 | 第17-18页 |
| 2.1.3 功能模块介绍 | 第18-19页 |
| 2.2 PWM控制方式分类 | 第19-22页 |
| 2.2.1 电压型PWM控制 | 第19-21页 |
| 2.2.2 电流型PWM控制 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 单元模块电路设计与实现 | 第23-55页 |
| 3.1 基准源 | 第23-31页 |
| 3.1.1 带隙基准的基本原理 | 第23-26页 |
| 3.1.2 带隙基准电路设计 | 第26-30页 |
| 3.1.3 带隙基准的仿真结果 | 第30-31页 |
| 3.2 运算放大器 | 第31-35页 |
| 3.2.1 运算放大器的基本原理 | 第31-32页 |
| 3.2.2 运算放大器电路设计 | 第32-34页 |
| 3.2.3 运算放大器的仿真结果 | 第34-35页 |
| 3.3 比较器 | 第35-39页 |
| 3.3.1 比较器的基本原理 | 第36-37页 |
| 3.3.2 比较器电路设计 | 第37-38页 |
| 3.3.3 比较器的仿真结果 | 第38-39页 |
| 3.4 振荡器 | 第39-44页 |
| 3.4.1 振荡器的基本原理 | 第40-41页 |
| 3.4.2 振荡器电路设计 | 第41-43页 |
| 3.4.3 振荡器的仿真结果 | 第43-44页 |
| 3.5 欠压锁定电路 | 第44-47页 |
| 3.5.1 欠压锁定电路设计 | 第44-46页 |
| 3.5.2 欠压锁定电路的仿真结果 | 第46-47页 |
| 3.6 输出驱动电路 | 第47-49页 |
| 3.6.1 输出驱动电路设计 | 第47-48页 |
| 3.6.2 输出驱动电路的仿真结果 | 第48-49页 |
| 3.7 PWM调制电路 | 第49-53页 |
| 3.7.1 RS触发器电路设计 | 第49-51页 |
| 3.7.2 T触发器电路设计 | 第51-52页 |
| 3.7.3 或门设计 | 第52-53页 |
| 3.8 偏置电路 | 第53-54页 |
| 3.9 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 抗总剂量辐射加固设计 | 第55-83页 |
| 4.1 总剂量辐射的影响 | 第55-58页 |
| 4.1.1 总剂量辐射效应 | 第55-56页 |
| 4.1.2 双极型晶体管的辐照效应 | 第56-58页 |
| 4.2 线路加固设计方法 | 第58-70页 |
| 4.2.1 基准源单元加固设计 | 第58-63页 |
| 4.2.2 运算放大器单元加固设计 | 第63-68页 |
| 4.2.3 比较器单元加固设计 | 第68-70页 |
| 4.3 工艺加固设计方法 | 第70-82页 |
| 4.3.1 全流程抗辐射加固工艺设计 | 第70-74页 |
| 4.3.2 关键单工艺抗辐射加固设计 | 第74-75页 |
| 4.3.3 抗辐射加固工艺版图优化设计 | 第75-79页 |
| 4.3.4 抗辐射加固能力提升效果 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 版图设计与参数测试 | 第83-91页 |
| 5.1 版图设计 | 第83-87页 |
| 5.1.1 32 V双极工艺设计规则 | 第83-84页 |
| 5.1.2 单元版图设计 | 第84-87页 |
| 5.2 指标测试情况 | 第87-90页 |
| 5.2.1 常态测试结果 | 第87-88页 |
| 5.2.2 典型参数的特性曲线 | 第88-89页 |
| 5.2.3 总剂量辐照摸底 | 第89-90页 |
| 5.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 6.1 全文总结 | 第91-92页 |
| 6.2 工作展望 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第97页 |
