| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 选题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 毫米波晶体管的发展现状 | 第11-15页 |
| 1.4 本论文研究内容及结构 | 第15-17页 |
| 2 纳米MOSFET毫米波小信号等效电路模型 | 第17-30页 |
| 2.1 毫米波MOSFET小信号等效电路 | 第17-21页 |
| 2.1.1 忽略衬底效应的小信号模型 | 第18页 |
| 2.1.2 考虑衬底效应的小信号等效电路模型 | 第18-19页 |
| 2.1.3 等效电路模型的确定 | 第19-21页 |
| 2.2 基于散射参数的等效电路参数提取方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 电路的散射参数和噪声系数 | 第21-23页 |
| 2.2.2 等效电路参数的直接提取法 | 第23-24页 |
| 2.3 等效电路的Y参数建模 | 第24-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 毫米波频段下的纳米MOSFET四噪声参数模型 | 第30-43页 |
| 3.1 MOSFET噪声的种类 | 第30-31页 |
| 3.2 基于小信号等效电路模型的四噪声参数模型推导 | 第31-39页 |
| 3.2.1 含噪声源的小信号等效电路模型 | 第31-32页 |
| 3.2.2 四噪声参数模型的推导方法 | 第32-39页 |
| 3.3 四噪声参数模型的推导结果 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 130纳米MOSFET四噪声参数的验证 | 第43-56页 |
| 4.1 纳米MOSFET小信号元件参数提取 | 第43-50页 |
| 4.1.1 去嵌LC后的Y参数 | 第43-45页 |
| 4.1.2 参数的直接提取的实现 | 第45-46页 |
| 4.1.3 参数提取的过程及结果 | 第46-50页 |
| 4.2 强中反型区域的四噪声参数模型的验证 | 第50-53页 |
| 4.3 弱反型区域噪声机理的验证 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62-64页 |