| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机热解合成纳米材料的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 纳米线 | 第10-11页 |
| 1.2.2 纳米棒 | 第11页 |
| 1.2.3 纳米针 | 第11-12页 |
| 1.2.4 纳米管 | 第12-13页 |
| 1.2.5 纳米带 | 第13-14页 |
| 1.3 SiC纳米结构研究进展 | 第14-25页 |
| 1.3.1 SiC的结构与特性 | 第14-19页 |
| 1.3.1.1 SiC的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.1.2 SiC的特性及应用 | 第15-19页 |
| 1.3.2 SiC纳米结构的合成 | 第19-25页 |
| 1.3.2.1 SiC纳米结构的生长机理 | 第19-22页 |
| 1.3.2.1.1 气-液-固(VLS)生长机理 | 第19-20页 |
| 1.3.2.1.2 固-液-固(SLS)生长机理 | 第20-21页 |
| 1.3.2.1.3 气-固(VS)生长机理 | 第21-22页 |
| 1.3.2.2 SiC纳米结构的制备方法 | 第22-25页 |
| 1.3.2.2.1 化学气相沉积法 | 第22-23页 |
| 1.3.2.2.2 电弧放电法 | 第23页 |
| 1.3.2.2.3 溶剂热法 | 第23-24页 |
| 1.3.2.2.4 模板法 | 第24页 |
| 1.3.2.2.5 碳热还原法 | 第24-25页 |
| 1.4 SiC纳米结构的掺杂改性研究现状 | 第25页 |
| 1.4.1 掺杂SiC纳米结构的简介 | 第25页 |
| 1.4.2 掺杂SiC纳米结构的制备方法 | 第25页 |
| 1.5 选题依据及意义 | 第25-28页 |
| 第二章 主要研究内容、实验方案及表征方法 | 第28-32页 |
| 2.1 主要研究内容 | 第28页 |
| 2.1.1 B掺杂SiC纳米线的生长与调控 | 第28页 |
| 2.1.2 B掺杂SiC纳米线的场发射性能 | 第28页 |
| 2.2 实验方案和分析检测方法 | 第28-32页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第28-29页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.2.3 实验分析测试方法 | 第30-32页 |
| 第三章 B掺杂SiC纳米线的生长与调控 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验方案 | 第33页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第33-46页 |
| 3.3.1 B掺杂SiC纳米线的制备与表征 | 第33-36页 |
| 3.3.2 不同热解温度对B掺杂SiC纳米线掺杂浓度的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.3 不同降温速率对B掺杂SiC纳米线掺杂浓度的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.4 B掺杂SiC米线的场发射性能 | 第43-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-48页 |
| 第四章 B掺杂SiC纳米线阵列制备与场发射性能 | 第48-66页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验方案 | 第49页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第49-63页 |
| 4.3.1 B掺杂SiC纳米线阵列的制备与表征 | 第49-52页 |
| 4.3.2 不同衬底对B掺杂SiC纳米线阵列生长的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.3 不同催化剂对B掺杂SiC纳米线阵列生长的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.4 B掺杂SiC纳米线阵列的场发射性能 | 第59-63页 |
| 4.4 小结 | 第63-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第76页 |
| 攻读硕士期间申请的国家发明专利 | 第76页 |
