| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 序言 | 第10-14页 |
| 1 引言 | 第14-30页 |
| 1.1 有机电致发光二极管 | 第14-16页 |
| 1.2 环境对OLED器件的影响 | 第16-17页 |
| 1.3 封装要求 | 第17-18页 |
| 1.4 封装方式 | 第18-19页 |
| 1.5 薄膜封装 | 第19-21页 |
| 1.6 薄膜封装的渗透机制 | 第21-26页 |
| 1.6.1 单层膜的渗透 | 第21-23页 |
| 1.6.2 缺陷的影响 | 第23页 |
| 1.6.3 多层膜 | 第23-24页 |
| 1.6.4 薄膜粘附力和界面 | 第24-25页 |
| 1.6.5 WVTR和OTR的关系 | 第25-26页 |
| 1.7 薄膜封装技术 | 第26-29页 |
| 1.7.1 薄膜封装无机层的沉积 | 第26-28页 |
| 1.7.2 有机层的沉积 | 第28-29页 |
| 1.8 研究目的及意义 | 第29-30页 |
| 2 原子层沉积的氧化铝薄膜工艺研究 | 第30-48页 |
| 2.1 氧化铝薄膜制备方法的选取 | 第30-32页 |
| 2.1.1 反应溅射方法 | 第30-31页 |
| 2.1.2 原子层沉积 | 第31-32页 |
| 2.2 薄膜封装无机层单层膜性能表征方法 | 第32-35页 |
| 2.2.1 无机薄膜的折射率和厚度 | 第32-33页 |
| 2.2.2 无机薄膜的可见光透过率 | 第33-34页 |
| 2.2.3 无机薄膜的表面形貌 | 第34页 |
| 2.2.4 无机薄膜的应力 | 第34-35页 |
| 2.3 原子层沉积原理 | 第35-36页 |
| 2.4 ALD工艺参数对氧化铝薄膜的影响 | 第36-47页 |
| 2.4.1 ALD工艺参数对氧化铝薄膜折射率的影响 | 第37-39页 |
| 2.4.2 薄膜沉积厚度的研究 | 第39-42页 |
| 2.4.3 薄膜表面形貌的研究 | 第42-44页 |
| 2.4.4 薄膜光学透过率的研究 | 第44-46页 |
| 2.4.5 薄膜应力的研究 | 第46-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 有机层薄膜制备工艺研究 | 第48-54页 |
| 3.1 有机层沉积方式的选择 | 第48-49页 |
| 3.1.1 闪蒸发技术 | 第48页 |
| 3.1.2 喷墨打印技术 | 第48-49页 |
| 3.2 喷墨打印制备有机层薄膜 | 第49页 |
| 3.3 喷墨打印厚度对有机层薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.1 喷墨打印有机层不同厚度对光学透过率的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.2 喷墨打印有机层不同厚度对均一性的影响 | 第51页 |
| 3.3.3 喷墨打印有机层不同厚度对表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 PECVD沉积的氮化硅薄膜工艺研究 | 第54-62页 |
| 4.1 薄膜封装无机层的沉积 | 第54-55页 |
| 4.2 PECVD沉积SIN_x薄膜的原理 | 第55-57页 |
| 4.2.1 PECVD反应原理 | 第55-56页 |
| 4.2.2 PECVD工艺参数对SiN_x薄膜的影响因素分析 | 第56-57页 |
| 4.3 工艺参数对氮化硅薄膜的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.1 射频功率对薄膜特性的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.2 SiH_4流量对薄膜特性的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.3 NH_3流量对薄膜特性的影响 | 第60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 5 薄膜封装复合结构开发和性能优化 | 第62-69页 |
| 5.1 多层膜结构 | 第62-63页 |
| 5.2 薄膜封装结构设计 | 第63-64页 |
| 5.3 薄膜封装复合结构的性能表征 | 第64-68页 |
| 5.3.1 薄膜封装复合结构表征 | 第64-65页 |
| 5.3.2 薄膜封装复合结构光学透过率表征 | 第65-66页 |
| 5.3.3 薄膜封装复合结构的水氧阻隔性能表征 | 第66-67页 |
| 5.3.4 薄膜封装复合结构的弯折性能表征 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 6 结论 | 第69-71页 |
| 6.1 结论 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 作者简历及攻读硕士博士学位期间取得的研究成果 | 第76-78页 |
| 学位论文数据集 | 第78页 |
