| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-18页 |
| 1.1.1 传统闪存 | 第8-12页 |
| 1.1.2 传统闪存的产业现状和技术限制 | 第12-14页 |
| 1.1.3 传统闪存的研究现状与趋势及课题研究意义 | 第14-18页 |
| 1.2 本文组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 基于传统闪存的存储技术 | 第20-33页 |
| 2.1 基于传统闪存的存储技术 | 第20-24页 |
| 2.1.1 电荷俘获型存储器 | 第20-22页 |
| 2.1.2 金属浮栅存储器件 | 第22-24页 |
| 2.2 基于传统闪存存储技术的操作机制 | 第24-28页 |
| 2.3 存储器件的特性测试 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 HfO_2薄膜生长工艺研究 | 第33-44页 |
| 3.1 高K薄膜ALD工艺开发的意义 | 第33-35页 |
| 3.2 ALD工艺参数对MAHOS CTM器件性能的影响 | 第35-43页 |
| 3.2.1 实验设计与实现 | 第36-37页 |
| 3.2.2 测试结果和分析 | 第37-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 阻挡层淀积预处理对CTM器件性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.1 阻挡层淀积预处理的研究意义 | 第44页 |
| 4.2 淀积预处理对阻挡层性能的影响 | 第44-49页 |
| 4.2.1 实验设计与实现 | 第45-46页 |
| 4.2.2 测试结果和分析 | 第46-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 高K材料的引入对金属浮栅存储器件性能的优化 | 第50-60页 |
| 5.1 金属浮栅存储器件的研究 | 第50页 |
| 5.2 引入高K材料的原因 | 第50-51页 |
| 5.3 高K材料的引入对金属浮栅存储器件性能的优化 | 第51-59页 |
| 5.3.1 实验设计与实现 | 第51-52页 |
| 5.3.2 测试结果和分析1—SiO_2/HfO_2双层隧穿势垒 | 第52-56页 |
| 5.3.3 测试结果和分析2—多层隧穿和IGD势垒 | 第56-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结和展望 | 第60-62页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第60-61页 |
| 6.2 对未来研究的展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间论文和项目情况 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
