| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 Flash存储器概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 Flash存储器的主要分类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 NOR FLASH存储器的发展现状 | 第13-14页 |
| 1.3 目前关键电路研究与设计的现状 | 第14页 |
| 1.4 本文研究与设计的内容及创新点 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的组织结构 | 第15-16页 |
| 第2章 NOR FLASH的工作原理 | 第16-32页 |
| 2.1 浮栅晶体管的工作原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1 浮栅晶体管的存储机制 | 第16-17页 |
| 2.1.2 CHE热电子注入 | 第17页 |
| 2.1.3 FN隧穿 | 第17-18页 |
| 2.1.4 浮栅晶体管的电容网络 | 第18-19页 |
| 2.2 NOR FLASH的基本操作 | 第19-23页 |
| 2.2.1 NOR FLASH的编程操作 | 第19-20页 |
| 2.2.2 NOR FLASH的擦除操作 | 第20-22页 |
| 2.2.3 NOR FLASH的读操作 | 第22-23页 |
| 2.3 NOR FLASH的编程算法流程 | 第23-27页 |
| 2.4 NOR FLASH的擦除算法流程 | 第27-32页 |
| 第3章 NOR FLASH外围主要模拟电路设计 | 第32-58页 |
| 3.1 参考电压电路 | 第32-43页 |
| 3.1.1 高精度带隙基准参考电压源 | 第33-38页 |
| 3.1.2 待机参考电压源 | 第38-43页 |
| 3.2 VDC(Voltage Down Converter)电路 | 第43-52页 |
| 3.2.1 传统的LDO | 第43-44页 |
| 3.2.2 改进的LDO设计 | 第44-48页 |
| 3.2.3 改进型LDO主要参数仿真结果 | 第48-52页 |
| 3.2.3.1 负载瞬态特性仿真 | 第48-49页 |
| 3.2.3.2 线性调整率的仿真 | 第49-50页 |
| 3.2.3.3 负载调整率的仿真 | 第50-51页 |
| 3.2.3.4 温度系数的仿真 | 第51-52页 |
| 3.2.4 与已发表的LDO的性能比较 | 第52页 |
| 3.3 电平转换电路的设计 | 第52-58页 |
| 3.3.1 正电压转换电路 | 第53-56页 |
| 3.3.2 负电压转换电路 | 第56-58页 |
| 第4章 读通路关键电路的设计 | 第58-68页 |
| 4.1 参考电流源的设计 | 第59-63页 |
| 4.2 电流转电压电路的设计 | 第63-65页 |
| 4.3 灵敏放大器的设计 | 第65-68页 |
| 第5章 读通路仿真模型、优化及Trim值读取 | 第68-80页 |
| 5.1 读通路仿真模型的建立 | 第68-74页 |
| 5.2 读通路的BL方向的优化 | 第74-77页 |
| 5.3 Trim值的读取 | 第77-80页 |
| 第6章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 6.1 总结及创新 | 第80-81页 |
| 6.2 展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第88页 |