| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第16-43页 |
| 1.1 课题来源 | 第16页 |
| 1.2 课题研究的目的和意义 | 第16-18页 |
| 1.3 一维氧化锡纳米材料的研究进展 | 第18-31页 |
| 1.3.1 SnO2纳米材料的性质与结构 | 第19-21页 |
| 1.3.2 一维 SnO2纳米材料的制备 | 第21-28页 |
| 1.3.3 SnO2材料第一性原理的研究状况 | 第28-31页 |
| 1.4 半导体气体传感器的简介 | 第31-34页 |
| 1.4.1 半导体气体传感器的类型 | 第31页 |
| 1.4.2 半导体气体传感器的气敏机理 | 第31-32页 |
| 1.4.3 半导体气体传感器存在的问题及发展方向 | 第32-34页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-43页 |
| 第二章 二氧化锡纳米线的合成与气敏性能研究 | 第43-63页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 实验 | 第43-49页 |
| 2.2.1 实验仪器与试剂 | 第43-44页 |
| 2.2.2 材料的制备 | 第44-45页 |
| 2.2.3 材料的表征 | 第45-47页 |
| 2.2.4 气敏元件制作 | 第47-48页 |
| 2.2.5 气敏性能测试 | 第48-49页 |
| 2.3 实验与讨论 | 第49-59页 |
| 2.3.1 EDS 分析 | 第49页 |
| 2.3.2 二氧化锡的晶体结构分析 | 第49-50页 |
| 2.3.3 样品的形貌分析 | 第50-51页 |
| 2.3.4 影响因素讨论 | 第51-54页 |
| 2.3.5 SnO2纳米线的形成机理研究 | 第54-55页 |
| 2.3.6 气敏性能研究 | 第55-59页 |
| 2.3.7 SnO2纳米线气敏机理的初步探讨 | 第59页 |
| 2.4 本章小节 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第三章 贵金属纳米晶修饰的 SnO2纳米线及气敏性能研究 | 第63-82页 |
| 3.1 引言 | 第63-64页 |
| 3.2 实验部分 | 第64-66页 |
| 3.2.1 实验所用试剂、仪器和设备 | 第64页 |
| 3.2.2 材料制备 | 第64-65页 |
| 3.2.3 材料表征 | 第65页 |
| 3.2.4 气敏元件制作 | 第65页 |
| 3.2.5 气敏性能测试 | 第65-66页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第66-78页 |
| 3.3.1 样品的结构与形貌分析 | 第66-68页 |
| 3.3.2 Pd 纳米晶修饰的 SnO2纳米线的气敏性能 | 第68-74页 |
| 3.3.3 Pt 纳米晶修饰的 SnO2纳米线的气敏性能 | 第74-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 第四章 可控晶面的二氧化锡纳米晶的气敏性能与第一性原理的研究 | 第82-97页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 实验部分 | 第83-86页 |
| 4.2.1 实验仪器与试剂 | 第83页 |
| 4.2.2 材料的制备 | 第83-84页 |
| 4.2.3 材料的表征 | 第84页 |
| 4.2.4 气敏元件制作 | 第84页 |
| 4.2.5 气敏性能测试 | 第84页 |
| 4.2.6 计算方法 | 第84-86页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第86-94页 |
| 4.3.1 不同暴露面的 SnO2纳米线的合成 | 第86-89页 |
| 4.3.2 不同暴露面的 SnO2纳米线的气敏性能研究 | 第89-90页 |
| 4.3.3 不同暴露面的 SnO2纳米线的第一性原理初步研究 | 第90-94页 |
| 4.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第五章 SnO2(110)和(100)晶面气体吸附的第一性原理研究 | 第97-111页 |
| 5.1 引言 | 第97页 |
| 5.2 SnO2表面气体吸附模型的建立与计算 | 第97-98页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第98-109页 |
| 5.3.1 SnO2晶胞、(110)和(100)晶面超胞的结构优化 | 第98-100页 |
| 5.3.2 SnO2(110)和(100)晶面的气体吸附能 | 第100-101页 |
| 5.3.3 气体吸附前后 SnO2(110)和(100)晶面的表面电子结构 | 第101-106页 |
| 5.3.4 气体分子吸附前后的电子布居 | 第106页 |
| 5.3.5 气体分子吸附前后的电荷密度分布 | 第106-109页 |
| 5.4 结论 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第六章 二氧化锡微米片的合成及气敏性能研究 | 第111-120页 |
| 6.1 引言 | 第111页 |
| 6.2 实验部分 | 第111-113页 |
| 6.2.1 实验所使用试剂、仪器设备 | 第111-112页 |
| 6.2.2 材料制备 | 第112页 |
| 6.2.3 材料表征 | 第112页 |
| 6.2.4 气敏元件制作 | 第112页 |
| 6.2.5 气敏性能测试 | 第112-113页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第113-117页 |
| 6.3.1 二氧化锡的晶体结构分析 | 第113-114页 |
| 6.3.2 样品的形貌分析 | 第114页 |
| 6.3.3 气敏性能的研究 | 第114-117页 |
| 6.4 气敏机理的初步探讨 | 第117-118页 |
| 6.5 本章小节 | 第118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第七章 结论与展望 | 第120-123页 |
| 7.1 结论 | 第120-122页 |
| 7.2 展望 | 第122-123页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第123-124页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
