| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 概述 | 第7-10页 |
| 1.1.1 功率MOSFET的发展历史 | 第7-9页 |
| 1.1.2 功率MOSFET器件的特点 | 第9-10页 |
| 1.2 本文的研究任务 | 第10-11页 |
| 第二章 沟槽功率MOSFET制造工艺和器件参数 | 第11-21页 |
| 2.1 沟槽功率MOSFET制造工艺流程 | 第11-12页 |
| 2.2 沟槽功率MOSFET器件中的栅极工艺及生产设备 | 第12-17页 |
| 2.2.1 栅极氧化工艺介绍 | 第13-14页 |
| 2.2.2 多晶硅栅极淀积工艺 | 第14页 |
| 2.2.3 多晶硅栅极掺杂工艺 | 第14-16页 |
| 2.2.4 栅极氧化和多晶硅栅极淀积设备 | 第16-17页 |
| 2.3 沟槽功率MOSFET器件的重要参数 | 第17-20页 |
| 2.4 小结 | 第20-21页 |
| 第三章 沟槽功率MOSFET栅氧化工艺优化 | 第21-31页 |
| 3.1 牺牲氧化温度对器件电性参数的优化 | 第21-24页 |
| 3.1.1 实验设计 | 第21-22页 |
| 3.1.2 实验结果分析 | 第22-24页 |
| 3.2 牺牲氧化层厚度对器件电性参数的优化 | 第24-27页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第24-25页 |
| 3.2.2 实验结果分析 | 第25-27页 |
| 3.3 牺牲氧化工艺对沟槽MOSFET栅极可靠性的优化 | 第27-30页 |
| 3.3.1 沟槽MOSFET栅极多晶硅空洞问题 | 第27-28页 |
| 3.3.2 牺牲氧化工艺优化实验设计 | 第28-29页 |
| 3.3.3 实验结果与分析 | 第29-30页 |
| 3.4 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 沟槽功率MOSFET多晶硅栅工艺应用及优化 | 第31-42页 |
| 4.1 沟槽MOSFET多晶硅淀积温度优化 | 第31-35页 |
| 4.1.1 沟槽MOSFET多晶硅的刻蚀残留问题 | 第31-32页 |
| 4.1.2 淀积温度优化实验设计 | 第32-33页 |
| 4.1.3 实验结果与分析 | 第33-35页 |
| 4.2 沟槽MOSFET多晶硅掺杂工艺优化 | 第35-37页 |
| 4.2.1 多晶硅掺杂优化实验设计 | 第35页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第35-37页 |
| 4.3 分裂栅沟槽MOSFET和栅漏电荷Q_(gd)的优化 | 第37-41页 |
| 4.3.1 沟槽MOSFET栅漏电容优化 | 第37-38页 |
| 4.3.2 分裂栅沟槽MOSFET器件结构 | 第38-39页 |
| 4.3.3 栅漏电荷Q_(gd)优化实验设计 | 第39-40页 |
| 4.3.4 实验结果与分析 | 第40-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
