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p-GaAs同质结太赫兹探测器的优化与性能研究

摘要第7-8页
ABSTRACT第8-9页
目录第10-12页
第一章 绪论第12-19页
    1.1 太赫兹波第12-13页
    1.2 太赫兹技术第13-16页
    1.3 HIWIP 探测器研究意义与进展第16-17页
    1.4 研究内容第17-19页
第二章 理论计算方法第19-28页
    2.1 远红外波段的介电常数第19-20页
    2.2 标量波方法第20-23页
    2.3 菲涅尔系数矩阵法第23-27页
    2.4 本章小结第27-28页
第三章 同质结内光发射功函数探测器简介第28-50页
    3.1 同质结内光发射功函数探测器的探测机理第28-29页
    3.2 同质结内光发射功函数探测器的结构第29-30页
    3.3 同质结内光发射功函数探测器的功函数第30-33页
    3.4 同质结内光发射功函数探测器探测过程理论模型第33-39页
    3.5 同质结内光发射功函数探测器的量子效率第39-40页
    3.6 同质结内光发射功函数探测器中的碰撞离子化第40-43页
    3.7 同质结内光发射功函数探测器中的暗电流第43-48页
    3.8 同质结内光发射功函数探测器的谐振腔结构第48-49页
    3.9 本章小结第49-50页
第四章 p-GaAs HIWIP 太赫兹探测器的谐振腔设计第50-66页
    4.1 p-GaAs HIWIP 太赫兹探测器腔体结构的优化第51-54页
    4.2 p-GaAs HIWIP 太赫兹探测器的谐振腔设计第54-65页
    4.3 本章小结第65-66页
第五章 p-GaAs HIWIP 探测器的综合性能第66-74页
    5.1 p-GaAs HIWIP 探测器的暗电流第66-70页
    5.2 p-GaAs HIWIP 探测器的响应率、探测率第70-73页
    5.3 本章小结第73-74页
第六章 总结和展望第74-76页
    6.1 本文总结第74-75页
    6.2 工作展望第75-76页
参考文献第76-80页
致谢第80-81页
读硕士学位期间已发表的论文第81页

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