| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的基本理论 | 第12-18页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的结构划分 | 第12-13页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的特性分析 | 第14-15页 |
| 1.2.4 薄膜晶体管的性能表征 | 第15-18页 |
| 1.3 制作薄膜晶体管的材料选择 | 第18-20页 |
| 1.3.1 沟道层材料 | 第18页 |
| 1.3.2 栅介质层材料 | 第18-19页 |
| 1.3.3 电极材料 | 第19-20页 |
| 1.3.4 衬底材料 | 第20页 |
| 1.4 氧化物薄膜晶体管的研究现状 | 第20-24页 |
| 1.4.1 ZnOTFT 的研究动态 | 第20-22页 |
| 1.4.2 a-IGZOTFT 的研究动态 | 第22-23页 |
| 1.4.3 IZOTFT 的研究动态 | 第23-24页 |
| 1.5 薄膜晶体管的主要应用 | 第24-26页 |
| 1.5.1 TFT 在 LCD 中的应用 | 第24-26页 |
| 1.5.2 TFT 在 OLED 中的应用 | 第26页 |
| 1.6 本文的选题背景和主要内容 | 第26-29页 |
| 1.6.1 本文的选题背景 | 第26-27页 |
| 1.6.2 本文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 氧化物 TFT 的制备工艺流程与基本测试技术 | 第29-40页 |
| 2.1 氧化物 TFT 的实验室制备工艺流程 | 第29-36页 |
| 2.1.1 玻璃衬底的清洗工艺 | 第29-30页 |
| 2.1.2 栅介质的制备工艺 | 第30-33页 |
| 2.1.3 电极与沟道的制备工艺 | 第33-36页 |
| 2.2 氧化物 TFT 的性能测试技术 | 第36-39页 |
| 2.2.1 电学性能测试 | 第36-37页 |
| 2.2.2 光学特性测试 | 第37-38页 |
| 2.2.3 薄膜的形貌及性能分析测试 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 基于 Al_2O_3栅介质的氧化物 TFT 研究 | 第40-50页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 本文实验方法介绍 | 第40-41页 |
| 3.3 器件的制备工艺流程 | 第41-43页 |
| 3.3.1 衬底的选择及清洗 | 第41页 |
| 3.3.2 Al_2O_3栅介质层的制备 | 第41-42页 |
| 3.3.3 IZO 电极与 IZO 沟道层的制备 | 第42-43页 |
| 3.4 Al_2O_3薄膜的形貌表征及特性分析 | 第43-45页 |
| 3.4.1 Al_2O_3薄膜的表面形貌测试 | 第43页 |
| 3.4.2 Al_2O_3薄膜的特性分析 | 第43-45页 |
| 3.5 器件的相关性能测试及分析讨论 | 第45-49页 |
| 3.5.1 电学性能测试及分析 | 第45-47页 |
| 3.5.2 光学性能测试及分析 | 第47-48页 |
| 3.5.3 器件的低压工作原理分析 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 基于微孔 SiO_2栅介质的氧化物 TFT 研究 | 第50-59页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 实验耗材及设备 | 第50-51页 |
| 4.3 实验方法介绍 | 第51页 |
| 4.4 微孔 SiO_2栅介质薄膜的特性分析 | 第51-54页 |
| 4.4.1 微孔 SiO_2栅介质薄膜的形貌表征 | 第51-52页 |
| 4.4.2 微孔 SiO_2的双电层效应分析 | 第52-54页 |
| 4.5 器件的性能测试及分析 | 第54-57页 |
| 4.5.1 电学性能测试及分析 | 第54-56页 |
| 4.5.2 稳定性测试及分析 | 第56页 |
| 4.5.3 光学特性测试及分析 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第67页 |
