| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第10-11页 |
| 1.1.2 课题意义 | 第11页 |
| 1.2 多晶硅生产工艺介绍 | 第11-20页 |
| 1.2.1 主流多晶硅生产工艺简介 | 第11-14页 |
| 1.2.2 改良西门子法还原炉介绍 | 第14-20页 |
| 第2章 36 对棒、48 对棒还原炉工艺分析 | 第20-28页 |
| 2.1 36 对棒、48 对棒还原炉试生产目标 | 第20页 |
| 2.2 36 对棒、48 对棒还原炉试运行需要解决的问题 | 第20-24页 |
| 2.2.1 运行前期根部出现亮点 | 第20-21页 |
| 2.2.2 硅棒生长过程中出现裂纹 | 第21-22页 |
| 2.2.3 运行倒炉事故 | 第22-23页 |
| 2.2.4 硅棒产品形态差 | 第23-24页 |
| 2.3 初步分析以及改进思路 | 第24-27页 |
| 2.3.1 温度场和工艺方案 | 第24-25页 |
| 2.3.2 进气喷嘴影响 | 第25页 |
| 2.3.3 底盘电极排列 | 第25页 |
| 2.3.4 进气量、流速 | 第25-27页 |
| 2.3.5 还原炉电流、电压控制 | 第27页 |
| 2.3.6 减少建筑震动 | 第27页 |
| 2.4 研究方法 | 第27-28页 |
| 第3章 还原炉过程模拟 | 第28-66页 |
| 3.1 还原炉过程模拟思路 | 第28-29页 |
| 3.2 两种还原炉的模拟结果对比 | 第29-37页 |
| 3.2.1 36对棒和30对棒还原炉计算主要工艺参数 | 第30-32页 |
| 3.2.2 两种还原炉整体流场、温度场分析 | 第32-37页 |
| 3.3 模拟结果数据分析 | 第37页 |
| 3.3.1 进气分析 | 第37页 |
| 3.3.2 流场分析 | 第37页 |
| 3.3.3 温度场分析 | 第37页 |
| 3.4 硅棒表面状态云图分析 | 第37-41页 |
| 3.4.1 模拟结果 | 第37-40页 |
| 3.4.2 表面状态分析 | 第40-41页 |
| 3.5 表面流速统计数据对比 | 第41-43页 |
| 3.5.1 距底盘不同高度下速度、温度平均值 | 第41-42页 |
| 3.5.2 硅棒表面速度平均值 | 第42-43页 |
| 3.6 两种硅芯高度下的分析 | 第43-58页 |
| 3.6.1 流场分析 | 第43-51页 |
| 3.6.2 温度场分析 | 第51-55页 |
| 3.6.3 两种硅芯高度对比数据分析汇总 | 第55-57页 |
| 3.6.4 对比两种硅芯结论 | 第57-58页 |
| 3.7 更改进气喷嘴对还原炉内气流模拟分析 | 第58-64页 |
| 3.7.1 直通喷嘴模拟思路 | 第58页 |
| 3.7.2 不同气量、喷嘴高度下流场分析 | 第58-64页 |
| 3.8 总结及建议的后续工作 | 第64-66页 |
| 3.8.1 模拟结果分析总结 | 第64页 |
| 3.8.2 工艺调整方向 | 第64-66页 |
| 第4章 生产试验 | 第66-86页 |
| 4.1 工艺调整思路 | 第66-67页 |
| 4.2 试生产数据分析 | 第67页 |
| 4.3 试生产存在问题 | 第67-69页 |
| 4.4 运行故障列表 | 第69页 |
| 4.5 工艺参数优化思路 | 第69-78页 |
| 4.5.1 供料 | 第69-72页 |
| 4.5.2 硅芯高度 | 第72页 |
| 4.5.3 硅棒电流电压 | 第72-76页 |
| 4.5.4 重量增长速率与一次转化率 | 第76页 |
| 4.5.5 运行周期 | 第76-77页 |
| 4.5.6 混合气进气温度 | 第77页 |
| 4.5.7 还原尾气出气温度 | 第77-78页 |
| 4.6 工艺调整后运行结果 | 第78-83页 |
| 4.6.1 工艺调整内容 | 第78-79页 |
| 4.6.2 运行成功效果 | 第79-80页 |
| 4.6.3 直通喷嘴改进效果： | 第80-81页 |
| 4.6.4 电器增加防接地干扰的控制板 | 第81-83页 |
| 4.7 运行方案汇总 | 第83-86页 |
| 4.7.1 运行前核对参数 | 第83-84页 |
| 4.7.2 36 对棒还原炉运行方案 | 第84-85页 |
| 4.7.3 48 对棒还原炉运行方案 | 第85-86页 |
| 第5章 结论与展望 | 第86-88页 |
| 5.1 结论 | 第86-87页 |
| 5.2 技术展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |