摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 文献综述 | 第10-22页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 多晶硅概况 | 第10-13页 |
1.2.1 多晶硅的基本性质 | 第10页 |
1.2.2 多晶硅应用领域 | 第10-13页 |
1.3 多晶硅生产方法 | 第13-15页 |
1.3.1 硅烷法 | 第13页 |
1.3.2 冶金法 | 第13-14页 |
1.3.3 改良西门子法 | 第14-15页 |
1.4 多晶硅行业调查 | 第15-16页 |
1.4.1 多晶硅需求预测 | 第15页 |
1.4.2 多晶硅价格走势 | 第15-16页 |
1.5 国内外多晶硅企业对比 | 第16-19页 |
1.5.1 全球多晶硅企业产能 | 第16-17页 |
1.5.2 国外多晶硅企业优势 | 第17-18页 |
1.5.3 国内外多晶硅成本对比 | 第18页 |
1.5.4 国内多晶硅行业存在的问题 | 第18-19页 |
1.6 改良西门子法多晶硅节能降耗措施 | 第19-20页 |
1.6.1 技术提升 | 第19页 |
1.6.2 装备升级 | 第19-20页 |
1.6.3 热量综合回收 | 第20页 |
1.6.4 产能释放 | 第20页 |
1.7 本课题的研究意义与内容 | 第20-22页 |
1.7.1 研究意义 | 第20-21页 |
1.7.2 研究内容 | 第21-22页 |
第2章 某多晶硅生产装置节能分析 | 第22-32页 |
2.1 某多晶硅企业生产装置介绍 | 第22-26页 |
2.1.1 三氯氢硅氢还原反应的流程和原理 | 第23-24页 |
2.1.2 干法回收系统工艺流程和原理 | 第24-25页 |
2.1.3 冷氢化流程和原理 | 第25-26页 |
2.1.4 提纯系统工艺流程和原理 | 第26页 |
2.2 某多晶硅装置成本分析 | 第26-28页 |
2.2.1 生产消耗组成 | 第26-27页 |
2.2.2 成本构成 | 第27-28页 |
2.3 某多晶硅装置存在问题 | 第28-32页 |
2.3.1 电力成本高 | 第28-29页 |
2.3.2 装置利用率低 | 第29-32页 |
第3章 多晶硅生产工艺电耗优化 | 第32-60页 |
3.1 某多晶硅企业用电分析 | 第32-33页 |
3.1.1 系统用电分布分析 | 第32-33页 |
3.1.2 SiHCl_3氢还原工序用电分析 | 第33页 |
3.2 降低硅棒电耗的措施 | 第33-34页 |
3.2.1 提高单炉产量 | 第33页 |
3.2.2 优化工艺运行参数 | 第33-34页 |
3.3 还原反应添加SiH_2Cl_2的理论依据 | 第34页 |
3.4 SiH_2Cl_2的提纯 | 第34-46页 |
3.4.1 SiH_2Cl_2的来源和性质 | 第34-35页 |
3.4.2 SiH_2Cl_2原料的检测 | 第35-39页 |
3.4.3 SiH_2Cl_2的提纯方案选取 | 第39-46页 |
3.5 还原反应添加SiH_2Cl_2降低电耗的实验 | 第46-58页 |
3.5.1 未添加SiH_2Cl_2还原炉数据统计 | 第46页 |
3.5.2 不同SiH_2Cl_2添加比例还原炉数据统计 | 第46-52页 |
3.5.3 不同SiH_2Cl_2添加比例还原炉数据分析 | 第52-58页 |
3.6 实验小结 | 第58-60页 |
第4章 多晶硅装置利用率提升的优化 | 第60-78页 |
4.1 某多晶硅企业装置能力 | 第60页 |
4.2 装置利用率 | 第60-62页 |
4.2.1 还原炉装置利用率 | 第60-61页 |
4.2.2 氢化装置利用率 | 第61-62页 |
4.3 还原炉装置利用率提升优化 | 第62-68页 |
4.3.1 还原炉运行过程环节分析 | 第62-64页 |
4.3.2 提高还原炉利用率优化 | 第64-68页 |
4.3.3 实验小结 | 第68页 |
4.4 氢化装置利用率提升优化 | 第68-78页 |
4.4.1 氢化装置运行现状分析 | 第68-70页 |
4.4.2 提高氢化装置利用率优化 | 第70-76页 |
4.4.3 实验小结 | 第76-78页 |
第5章 结论与展望 | 第78-80页 |
5.1 结论 | 第78页 |
5.2 展望 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-84页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第84-85页 |
致谢 | 第85-86页 |