| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第15-32页 |
| 1.1 热电材料研究历史及其应用 | 第16-17页 |
| 1.2 热电材料的相关理论 | 第17-23页 |
| 1.2.1 热电效应简介 | 第17-19页 |
| 1.2.2 热电优值和热电转换效率 | 第19-21页 |
| 1.2.3 影响热电性能的因素 | 第21-23页 |
| 1.3 热电材料的研究进展 | 第23-31页 |
| 1.3.1 块材热电材料的研究进展 | 第23-28页 |
| 1.3.2 低维纳米结构热电材料的研究进展 | 第28-31页 |
| 1.4 本文研究思路和主要内容 | 第31-32页 |
| 第二章 纳米热电材料的制备方法及表征手段 | 第32-51页 |
| 2.1 纳米材料的制备方法 | 第32-33页 |
| 2.1.1 纳米颗粒的制备 | 第32-33页 |
| 2.1.2 放电等离子烧结 | 第33页 |
| 2.2 正电子湮没谱学 | 第33-48页 |
| 2.2.1 正电子湮没谱学基础 | 第33-36页 |
| 2.2.2 正电子湮没谱学实验方法 | 第36-48页 |
| 2.3 XRD衍射仪 | 第48页 |
| 2.4 电子显微分析技术 | 第48-49页 |
| 2.5 Seebeck系数和电导率测试 | 第49-50页 |
| 2.6 热导率测试 | 第50-51页 |
| 第三章 化学合成的纳米Bi_2Te_3的界面缺陷及热电性能 | 第51-66页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 样品的制备与测试 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-65页 |
| 3.3.1 不同温度退火处理的纳米Bi_2Te_3 | 第53-60页 |
| 3.3.2 不同温度放电等离子烧结的纳米Bi_2Te_3 | 第60-65页 |
| 3.4 小结 | 第65-66页 |
| 第四章 Se掺杂对纳米Bi_2Te_3(Bi_2Te_(3-x)Se_x)的热电性能的影响 | 第66-73页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 样品的制备与测试 | 第67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-72页 |
| 4.4 小结 | 第72-73页 |
| 第五章 纳米In_2O_3的微结构及热电性能 | 第73-89页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 实验以及理论计算方法 | 第73-75页 |
| 5.2.1 样品的制备与测试 | 第73-74页 |
| 5.2.2 理论计算方法 | 第74-75页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第75-88页 |
| 5.3.1 不同退火温度处理的纳米In_2O_3 | 第75-82页 |
| 5.3.2 不同温度放电等离子烧结的纳米In_2O_3 | 第82-88页 |
| 5.4 小结 | 第88-89页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第89-91页 |
| 6.1 主要结论 | 第89-90页 |
| 6.2 研究中存在的问题及今后展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-100页 |
| 博士期间科研成果目录 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
