| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-30页 |
| 1.1 TFT概论 | 第9-13页 |
| 1.1.1 特点及发展趋势 | 第9-11页 |
| 1.1.2 低温多晶硅TFT技术简介 | 第11-12页 |
| 1.1.3 非晶铟镓锌氧TFT技术简介 | 第12-13页 |
| 1.2 柔性工艺TFT技术简介 | 第13-23页 |
| 1.2.1 柔性衬底选择 | 第15-16页 |
| 1.2.2 TFT技术选择 | 第16-17页 |
| 1.2.3 柔性面板制造工艺选择 | 第17-21页 |
| 1.2.4 目前仍面临的挑战 | 第21-23页 |
| 1.3 本文研究背景 | 第23-26页 |
| 1.3.1 传统工艺TFT可靠性研究现状 | 第23-25页 |
| 1.3.2 柔性工艺TFT可靠性研究现状 | 第25-26页 |
| 1.4 实验器件及研究方法 | 第26-29页 |
| 1.4.1 实验器件结构和工艺 | 第26-28页 |
| 1.4.2 实验平台和研究方法 | 第28-29页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第29-30页 |
| 第2章 静态弯曲及激光剥离工艺对器件转移特性影响 | 第30-42页 |
| 2.1 静态弯曲应力对柔性工艺器件转移特性影响 | 第30-38页 |
| 2.1.1 柔性器件弯曲能力 | 第31-32页 |
| 2.1.2 静态弯曲对器件性能影响 | 第32-36页 |
| 2.1.3 器件弯曲损伤分析 | 第36-38页 |
| 2.2 柔性工艺器件剥离前后转移特性对比及分析 | 第38-41页 |
| 2.2.1 激光剥离工艺 | 第39页 |
| 2.2.2 特性差异介绍 | 第39-40页 |
| 2.2.3 差异原因讨论 | 第40-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 柔性工艺TFT直流栅应力退化研究 | 第42-58页 |
| 3.1 LTPS TFT剥离前后可靠性对比 | 第42-50页 |
| 3.1.1 LTPS TFT PBS可靠性实验 | 第43-48页 |
| 3.1.2 LTPS TFT NBS可靠性实验 | 第48-50页 |
| 3.2 a-IGZO TFT剥离前后可靠性对比 | 第50-56页 |
| 3.2.1 a-IGZO TFT PBS可靠性实验 | 第51-53页 |
| 3.2.2 a-IGZO TFT NBS可靠性实验 | 第53-56页 |
| 3.3 激光剥离工艺影响讨论 | 第56-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 总结及未来工作 | 第58-60页 |
| 4.1 本文工作总结 | 第58-59页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |