基于硅和锗的新型APD结构设计与研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第9-12页 |
| 1.1.1 光电探测器的特性 | 第10页 |
| 1.1.2 光电探测器的材料 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-20页 |
| 1.2.1 硅/锗集成光电探测器的工艺发展 | 第12-14页 |
| 1.2.2 硅/锗集成光电探测器的结构研究 | 第14-20页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第20-23页 |
| 第2章 雪崩光电二极管器件理论基础 | 第23-39页 |
| 2.1 耗尽区的电场分布 | 第23-26页 |
| 2.2 碰撞电离和雪崩倍增 | 第26-32页 |
| 2.2.1 碰撞电离过程 | 第26-28页 |
| 2.2.2 雪崩倍增机制 | 第28-32页 |
| 2.3 器件表面的反射与折射 | 第32-33页 |
| 2.4 光子的吸收过程和量子效率 | 第33-37页 |
| 2.4.1 光子的吸收过程 | 第33-36页 |
| 2.4.2 量子效率的计算 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 雪崩光电二极管仿真模型的建立 | 第39-55页 |
| 3.1 数值泊松解算器理论 | 第39-40页 |
| 3.2 ATLAS仿真模型构建 | 第40-47页 |
| 3.2.1 器件结构定义 | 第41-43页 |
| 3.2.2 材料模型定义 | 第43-47页 |
| 3.3 抗反射(AR)膜系统设计 | 第47-52页 |
| 3.3.1 单层抗反射膜 | 第48-50页 |
| 3.3.2 双层抗反射层膜 | 第50-52页 |
| 3.4 保护环结构设计 | 第52-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 IASG型器件的模拟仿真研究 | 第55-78页 |
| 4.1 SACM型Si-APD器件研究 | 第55-58页 |
| 4.2 SACM型IASG器件研究 | 第58-69页 |
| 4.2.1 IASG型器件结构及工作原理 | 第59-61页 |
| 4.2.2 IASG型器件特性分析 | 第61-69页 |
| 4.3 IASG器件的结构特性研究 | 第69-74页 |
| 4.4 IASG型器件工艺步骤 | 第74-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
