| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-44页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 一维纳米材料的制备方法 | 第11-16页 |
| 1.2.1 物理气相沉积 | 第11-12页 |
| 1.2.2 模板法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 刻蚀技术 | 第13-14页 |
| 1.2.4 静电纺丝技术 | 第14页 |
| 1.2.5 化学气相沉积 | 第14-15页 |
| 1.2.6 溶胶凝胶法 | 第15-16页 |
| 1.2.7 溶剂热技术 | 第16页 |
| 1.2.8 碳热还原法 | 第16页 |
| 1.3 一维微/纳米材料在自供能系统中的应用 | 第16-32页 |
| 1.3.1 一维微/纳米材料在压电纳米发电机及其自供能系统中的应用 | 第17-21页 |
| 1.3.2 一维微/纳米材料在摩擦纳米发电机及其自供能系统中的应用 ..· 12 | 第21-24页 |
| 1.3.3 一维微/纳米材料在热电纳米发电机方面及其自供能系统中的应用 | 第24-28页 |
| 1.3.4 一维微/纳米材料在自供能光探测方面的应用 | 第28-30页 |
| 1.3.5 一维微/纳米材料在自供能的其他方面的应用 | 第30-32页 |
| 1.4 一维纳米器件在电阻开关及非易失性存储方面的应用 | 第32-40页 |
| 1.4.1 阻变式存储器的工作原理 | 第33-35页 |
| 1.4.2 一维微/纳米材料在电阻开关及阻变式存储器的应用 | 第35-40页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第40-44页 |
| 第2章 单根Zn2-XSnO4/ZnO微/纳米线热驱动直流发电机的性能研究 | 第44-58页 |
| 2.1 引言 | 第44-45页 |
| 2.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 2.2.1 主要原料和实验设备 | 第45页 |
| 2.2.2 Zn2-XSnO4/ZnO微/纳米线的制备及器件构筑 | 第45-46页 |
| 2.2.3 测试仪器 | 第46页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第46-57页 |
| 2.3.1 Zn2-XSnO4/ZnO微/纳米线的形貌及结构表征 | 第46-50页 |
| 2.3.2 单个热发电机的性能研究 | 第50-52页 |
| 2.3.3 热发电机并联的性能研究 | 第52-57页 |
| 2.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第3章 单根ZnO:K, Cl纳米线的巨热阻效应及多比特非易失性温度存储性能的研究 | 第58-77页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-60页 |
| 3.2.1 主要原料和实验设备 | 第59页 |
| 3.2.2 K, Cl共掺杂ZnO微/纳米线的制备及器件构筑 | 第59-60页 |
| 3.2.3 测试仪器 | 第60页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第60-75页 |
| 3.3.1 K, Cl共掺杂的Zn O微/纳米线的形貌及结构表征 | 第60-62页 |
| 3.3.2 器件的温度响应及存储效应 | 第62-69页 |
| 3.3.3 器件的工作原理 | 第69-72页 |
| 3.3.4 温度调控的多阻态效应 | 第72-74页 |
| 3.3.5 电压调控的多阻态效应 | 第74-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第4章 单根ZnO:In微/纳米线构筑的背对背二极管及非易失性多比特存储器的性能研究 | 第77-98页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 实验部分 | 第78-79页 |
| 4.2.1 主要原料和实验设备 | 第78页 |
| 4.2.2 In-ZnO微/纳米线的制备及器件构筑 | 第78-79页 |
| 4.2.3 测试仪器 | 第79页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第79-97页 |
| 4.3.1. 形貌及结构表征 | 第79-81页 |
| 4.3.2 陷阱态调控机制 | 第81-89页 |
| 4.3.3 可调控的背对背肖特基二极管 | 第89-94页 |
| 4.3.4 非易失性多比特存储器 | 第94-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第5章 单根ZnO:In微/纳米线的压阻效应及非易失性多比特存储性能的研究 | 第98-107页 |
| 5.1 引言 | 第98页 |
| 5.2 实验部分 | 第98-99页 |
| 5.2.1 主要原料和实验设备、试剂及仪器 | 第98-99页 |
| 5.2.2 单根In-ZnO微/纳米线双电极结构器件的构筑 | 第99页 |
| 5.2.3 测试仪器 | 第99页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第99-105页 |
| 5.3.1 压阻开关效应 | 第99-103页 |
| 5.3.2 应力写入的非易失性存储效应 | 第103-104页 |
| 5.3.3 应力擦除的非易失性多比特存储效应 | 第104-105页 |
| 5.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 第6章 结论 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-126页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第126-127页 |
