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Si2N2O陶瓷材料的制备和组织性能的研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-22页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第10页
    1.2 氮氧化硅的晶体结构及性质第10-14页
        1.2.1 氮氧化硅的晶体结构第11页
        1.2.2 氮氧化硅的性质第11-14页
    1.3 氮氧化硅陶瓷材料的制备第14-20页
        1.3.1 致密氮氧化硅陶瓷材料的制备第14-19页
        1.3.2 氮氧化硅多孔陶瓷的制备第19-20页
    1.4 本文的主要研究内容第20-22页
第2章 材料的制备与试验方法第22-30页
    2.1 试验原料第22页
    2.2 试验仪器第22-23页
    2.3 氮氧化硅(Si_2N_2O)陶瓷材料成分选择与制备工艺第23-24页
        2.3.1 Si_3N_4/SiO_2成分的选择第23页
        2.3.2 氮氧化硅材料的制备工艺第23-24页
    2.4 材料性能的测试第24-28页
        2.4.1 气孔率及致密度第24-25页
        2.4.2 弯曲强度第25-26页
        2.4.3 弹性模量第26页
        2.4.4 断裂韧性第26-27页
        2.4.5 维氏硬度第27-28页
        2.4.6 介电性能第28页
        2.4.7 抗氧化性能第28页
        2.4.8 抗热震性能第28页
    2.5 物相及组织结构分析第28-30页
        2.5.1 物相分析第28-29页
        2.5.2 组织结构分析第29-30页
第3章 Si_2N_2O 陶瓷材料的制备及组织观察第30-59页
    3.1 Si_2N_2O 陶瓷材料的物相组成第30-43页
        3.1.1 烧结温度对氮氧化硅陶瓷相组成的影响第30-35页
        3.1.2 成型条件对氮氧化硅陶瓷相组成的影响第35-38页
        3.1.3 烧结时间对氮氧化硅陶瓷相组成的影响第38-41页
        3.1.4 烧结方式对氮氧化硅陶瓷相组成的影响第41-43页
    3.2 Si_2N_2O 陶瓷材料的致密化第43-49页
        3.2.1 烧结温度对氮氧化硅陶瓷致密化的影响第43-45页
        3.2.2 成型条件对氮氧化硅陶瓷致密化的影响第45-47页
        3.2.3 烧结时间对氮氧化硅陶瓷致密化的影响第47-48页
        3.2.4 烧结方式对氮氧化硅陶瓷致密化的影响第48-49页
    3.3 Si_2N_2O 陶瓷材料的组织结构第49-58页
        3.3.1 烧结温度对氮氧化硅陶瓷显微组织的影响第49-52页
        3.3.2 成型条件对氮氧化硅陶瓷显微组织的影响第52-54页
        3.3.3 烧结时间对氮氧化硅陶瓷显微组织的影响第54-56页
        3.3.4 烧结方式对氮氧化硅陶瓷显微组织的影响第56-58页
    3.4 本章小结第58-59页
第4章 Si_2N_2O 陶瓷材料的组织与性能第59-71页
    4.1 无压烧结制备 Si_2N_2O 陶瓷材料的组织与力学性能第59-63页
        4.1.1 无压烧结制备氮氧化硅陶瓷的断口形貌第59-60页
        4.1.2 无压烧结制备氮氧化硅陶瓷的力学性能第60-63页
    4.2 SPS 烧结制备 Si_2N_2O 陶瓷材料的组织与力学性能第63-68页
        4.2.1 SPS 烧结制备氮氧化硅陶瓷的断口形貌第63-64页
        4.2.2 SPS 烧结制备氮氧化硅陶瓷的力学性能第64-68页
    4.3 Si_2N_2O 陶瓷材料的介电性能第68-69页
    4.4 本章小结第69-71页
第5章 Si_2N_2O 陶瓷材料的高温性能第71-78页
    5.1 Si_2N_2O 陶瓷材料的抗氧化性能第71-75页
        5.1.1 温度对氧化后物相和表面形貌的影响第71-73页
        5.1.2 烧结助剂含量对氧化后物相和表面形貌的影响第73-74页
        5.1.3 氧化机制第74-75页
    5.2 Si_2N_2O 陶瓷材料的抗热震性能第75-77页
        5.2.1 氮氧化硅陶瓷热震后的残余抗弯强度第75-76页
        5.2.2 氮氧化硅陶瓷热震后的断口形貌第76-77页
    5.3 本章小结第77-78页
结论第78-79页
参考文献第79-84页
致谢第84页

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