| 摘 要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 概述 | 第12-36页 |
| 1.1.1 非均匀沟道DMOS功率器件的发展 | 第12-24页 |
| 1.1.2 辐照与抗辐照技术的发展 | 第24-36页 |
| 1.1.2.1 辐照环境 | 第24-26页 |
| 1.1.2.2 辐照理论 | 第26-34页 |
| 1.1.2.3 抗辐照技术 | 第34-36页 |
| 1.2 非均匀沟道DMOS基本参数及其辐照理论中待研究的课题 | 第36-38页 |
| 1.2.1 非均匀沟道DMOS基本参数 | 第36-37页 |
| 1.2.2 非均匀沟道DMOS辐照理论 | 第37页 |
| 1.2.3 非均匀沟道DMOS器件功率转换特性的实验研究 | 第37-38页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第38-40页 |
| 第二章 非均匀沟道DMOS阈值电压模型 | 第40-61页 |
| 2.1 前言 | 第40-41页 |
| 2.2 微米级非均匀沟道DMOS阈值电压模型 | 第41-48页 |
| 2.2.1 微米级非均匀沟道DMOS杂质分布 | 第41-43页 |
| 2.2.2 微米级非均匀沟道DMOS阈值电压模型 | 第43-44页 |
| 2.2.3 结果与讨论 | 第44-47页 |
| 2.2.4 小结 | 第47-48页 |
| 2.3 深亚微米级非均匀沟道DMOS阈值电压模型 | 第48-53页 |
| 2.3.1 深亚微米非均匀沟道DMOS阈值电压模型 | 第48-50页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 2.3.3 小结 | 第53页 |
| 2.4 非均匀沟道DMOS辐照阈值电压模型 | 第53-60页 |
| 2.4.1 MOS辐照阈值电压模型 | 第53-55页 |
| 2.4.2 非均匀沟道DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型 | 第55-57页 |
| 2.4.3 结果与讨论 | 第57-59页 |
| 2.4.4 小结 | 第59-60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第三章 非均匀沟道DMOS迁移率模型及机理 | 第61-77页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 迁移率模型 | 第62-64页 |
| 3.3 电离辐照界面态氢原子模型 | 第64-69页 |
| 3.3.1 界面态的氢原子输运模型 | 第64-66页 |
| 3.3.2 MOS低温辐照后退火过程中界面态形成的研究 | 第66-68页 |
| 3.3.3 电离辐照产生的界面态在禁带能级中的转移 | 第68-69页 |
| 3.4 非均匀沟道DMOS辐照迁移率模型 | 第69-75页 |
| 3.4.1 MOS辐照迁移率模型 | 第69-70页 |
| 3.4.2 非均匀沟道DMOS辐照正空间电荷迁移率模型 | 第70-73页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第73-75页 |
| 3.4.4 小结 | 第75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 非均匀沟道DMOS单粒子辐照瞬态模型 | 第77-92页 |
| 4.1 引言 | 第77页 |
| 4.2 单粒子效应数学模型和数值模拟 | 第77-83页 |
| 4.2.1 单粒子效应数学模型 | 第77-79页 |
| 4.2.2 数值模拟结果 | 第79-83页 |
| 4.3 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应模型 | 第83-90页 |
| 4.3.1 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应模型 | 第83-85页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第85-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 非均匀沟道DMOS器件功率转换特性的实验研究 | 第92-106页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 非均匀沟道DMOS功率转换特性 | 第92-97页 |
| 5.2.1 上电过程 | 第92-96页 |
| 5.2.2 脉冲宽度选择 | 第96-97页 |
| 5.3 功率转换特性实验研究 | 第97-99页 |
| 5.4 测试结果与分析 | 第99-104页 |
| 5.4.1 单管测试结果与分析 | 第99-102页 |
| 5.4.2 电路测试结果与分析 | 第102-104页 |
| 5.5 本章小结 | 第104-106页 |
| 第六章 结束语 | 第106-109页 |
| 6.1 总结 | 第106-108页 |
| 6.2 进一步的工作 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 个人简历、在学期间科研情况及发表学术论文 | 第122页 |
