| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第13-15页 |
| 1.2.1 国外发展现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 国内InP HEMT研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 InP HEMT模型研究关键技术及难点 | 第15-17页 |
| 1.3.1 InP HEMT模型研究的重要性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 InP HEMT器件与模型研究关键及难点 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究意义与主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 InP HEMT器件基本原理 | 第19-31页 |
| 2.1 HEMT工作原理 | 第19-21页 |
| 2.1.1 异质结 | 第19-20页 |
| 2.1.2 HEMT器件工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 HEMT的性能参数 | 第21-25页 |
| 2.2.1 Ⅰ-Ⅴ特性 | 第21-22页 |
| 2.2.2 跨导 | 第22页 |
| 2.2.3 HEMT的频率特性 | 第22-25页 |
| 2.2.3.1 电流增益截止频率 | 第22-23页 |
| 2.2.3.2 HEMT的最大振荡频率 | 第23-25页 |
| 2.3 HEMT建模技术 | 第25-28页 |
| 2.4 ADS仿真软件与IC-CAP测试环境介绍 | 第28-30页 |
| 2.5 总结 | 第30-31页 |
| 第三章 InP HEMT器件制备和测试 | 第31-45页 |
| 3.1 InP HEMT外延结构 | 第31-32页 |
| 3.2 InP基HEMT外延层计算 | 第32-36页 |
| 3.3 InP HEMT的制备 | 第36-39页 |
| 3.4 HEMT器件测试 | 第39-44页 |
| 3.4.1 直流特性测试 | 第39-41页 |
| 3.4.2 频率特性测试 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 InP基HEMT小信号模型 | 第45-63页 |
| 4.1 InP HEMT小信号参数提取 | 第45-55页 |
| 4.1.1 寄生参数的提取 | 第45-53页 |
| 4.1.1.1 寄生电容的提取 | 第46-47页 |
| 4.1.1.2 寄生电感的提取 | 第47-49页 |
| 4.1.1.3 寄生电阻的提取 | 第49-53页 |
| 4.1.2 本征参数的提取 | 第53-55页 |
| 4.2 InP HEMT小信号模型建立 | 第55-61页 |
| 4.2.1 HEMT器件本征部分S参数拟合 | 第56-58页 |
| 4.2.2 考虑寄生参数的S参数拟合 | 第58-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 论文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附件 | 第70页 |