摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第7-15页 |
1.1 选题的背景及意义 | 第7页 |
1.2 MEMS惯性开关及其研究现状 | 第7-9页 |
1.3 SU-8 紫外光刻研究现状 | 第9-11页 |
1.4 降低厚SU-8 胶膜内应力的研究现状 | 第11-13页 |
1.5 本文的研究内容 | 第13-15页 |
2 MEMS惯性开关加工工艺方案的确定 | 第15-23页 |
2.1 MEMS惯性开关工作原理 | 第15-17页 |
2.2 MEMS惯性开关的结构设计 | 第17-20页 |
2.3 材料选择及工艺路线的确定 | 第20-22页 |
2.4 本章小结 | 第22-23页 |
3 高深宽比SU-8 胶光刻工艺研究 | 第23-41页 |
3.1 SU-8 胶的紫外光刻工艺 | 第23-25页 |
3.2 SU-8 胶膜“侧蚀”现象 | 第25-26页 |
3.3“侧蚀”现象的分析 | 第26-31页 |
3.3.1 紫外光在SU-8 中衰减的规律 | 第26-30页 |
3.3.2“侧蚀”现象的解释 | 第30页 |
3.3.3 过曝光引起的“发黑”现象 | 第30-31页 |
3.4 SU-8 胶光刻实验 | 第31-32页 |
3.5 光刻工艺参数对“侧蚀”现象的影响 | 第32-36页 |
3.5.1 曝光剂量对侧蚀现象的影响 | 第32-34页 |
3.5.2 后烘时间对侧蚀现象的影响 | 第34-36页 |
3.6 光刻工艺参数对结构尺寸的影响 | 第36-38页 |
3.6.1 光刻工艺参数对尺寸B1以及B2的影响 | 第36-37页 |
3.6.2 光刻工艺参数对尺寸x0和x1的影响 | 第37-38页 |
3.6.3 光刻工艺参数对胶膜尺寸影响的讨论 | 第38页 |
3.7 光刻工艺参数的优化 | 第38-39页 |
3.8 本章小结 | 第39-41页 |
4 超声时效降低SU-8 胶内应力研究 | 第41-55页 |
4.1 SU-8 胶内应力 | 第41-44页 |
4.1.1 SU-8 胶内应力的形成 | 第41-43页 |
4.1.2 SU-8 胶“起胶”现象的分析 | 第43-44页 |
4.2 超声时效技术降低SU-8 胶内应力的机理 | 第44-46页 |
4.3 超声时效降低SU-8 微结构应力实验 | 第46-53页 |
4.3.1 实验装置 | 第46-47页 |
4.3.2 实验流程 | 第47-51页 |
4.3.3 实验结果分析与讨论 | 第51-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-55页 |
5 MEMS惯性开关的制作 | 第55-67页 |
5.1 MEMS惯性开关的制作流程 | 第55-60页 |
5.1.1 基底预处理 | 第55-56页 |
5.1.2 开关第一层制作 | 第56-59页 |
5.1.3 开关第二至五层制作 | 第59页 |
5.1.4 SU-8 胶的去除 | 第59-60页 |
5.1.5 MEMS惯性开关的封装 | 第60页 |
5.2 制作线宽误差 | 第60-65页 |
5.2.1 质量块支撑弹簧线宽的误差分析及误差补偿 | 第61-64页 |
5.2.2 其他尺寸的制作误差 | 第64-65页 |
5.3 开关动态性能测试 | 第65-66页 |
5.4 本章小结 | 第66-67页 |
结论 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-72页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-76页 |