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环形万向MEMS惯性开关制作工艺研究

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第7-15页
    1.1 选题的背景及意义第7页
    1.2 MEMS惯性开关及其研究现状第7-9页
    1.3 SU-8 紫外光刻研究现状第9-11页
    1.4 降低厚SU-8 胶膜内应力的研究现状第11-13页
    1.5 本文的研究内容第13-15页
2 MEMS惯性开关加工工艺方案的确定第15-23页
    2.1 MEMS惯性开关工作原理第15-17页
    2.2 MEMS惯性开关的结构设计第17-20页
    2.3 材料选择及工艺路线的确定第20-22页
    2.4 本章小结第22-23页
3 高深宽比SU-8 胶光刻工艺研究第23-41页
    3.1 SU-8 胶的紫外光刻工艺第23-25页
    3.2 SU-8 胶膜“侧蚀”现象第25-26页
    3.3“侧蚀”现象的分析第26-31页
        3.3.1 紫外光在SU-8 中衰减的规律第26-30页
        3.3.2“侧蚀”现象的解释第30页
        3.3.3 过曝光引起的“发黑”现象第30-31页
    3.4 SU-8 胶光刻实验第31-32页
    3.5 光刻工艺参数对“侧蚀”现象的影响第32-36页
        3.5.1 曝光剂量对侧蚀现象的影响第32-34页
        3.5.2 后烘时间对侧蚀现象的影响第34-36页
    3.6 光刻工艺参数对结构尺寸的影响第36-38页
        3.6.1 光刻工艺参数对尺寸B1以及B2的影响第36-37页
        3.6.2 光刻工艺参数对尺寸x0和x1的影响第37-38页
        3.6.3 光刻工艺参数对胶膜尺寸影响的讨论第38页
    3.7 光刻工艺参数的优化第38-39页
    3.8 本章小结第39-41页
4 超声时效降低SU-8 胶内应力研究第41-55页
    4.1 SU-8 胶内应力第41-44页
        4.1.1 SU-8 胶内应力的形成第41-43页
        4.1.2 SU-8 胶“起胶”现象的分析第43-44页
    4.2 超声时效技术降低SU-8 胶内应力的机理第44-46页
    4.3 超声时效降低SU-8 微结构应力实验第46-53页
        4.3.1 实验装置第46-47页
        4.3.2 实验流程第47-51页
        4.3.3 实验结果分析与讨论第51-53页
    4.4 本章小结第53-55页
5 MEMS惯性开关的制作第55-67页
    5.1 MEMS惯性开关的制作流程第55-60页
        5.1.1 基底预处理第55-56页
        5.1.2 开关第一层制作第56-59页
        5.1.3 开关第二至五层制作第59页
        5.1.4 SU-8 胶的去除第59-60页
        5.1.5 MEMS惯性开关的封装第60页
    5.2 制作线宽误差第60-65页
        5.2.1 质量块支撑弹簧线宽的误差分析及误差补偿第61-64页
        5.2.2 其他尺寸的制作误差第64-65页
    5.3 开关动态性能测试第65-66页
    5.4 本章小结第66-67页
结论第67-69页
参考文献第69-72页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第72-74页
致谢第74-76页

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