| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 静磁波及其器件 | 第11-12页 |
| 1.3 磁电耦合效应 | 第12-17页 |
| 1.3.1 磁电耦合效应表征及磁电材料 | 第12-14页 |
| 1.3.2 射频领域磁电耦合效应理论研究进展 | 第14-17页 |
| 1.4 磁电耦合静磁波器件发展与应用 | 第17-20页 |
| 1.5 论文的选题与章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 YIG静磁表面波色散特性及其层状结构的磁电耦合 | 第21-36页 |
| 2.1 静磁表面波的求解与色散 | 第21-32页 |
| 2.1.1 静磁近似与求解 | 第21-25页 |
| 2.1.2 静磁表面波色散特性 | 第25-32页 |
| 2.2 YIG薄膜的磁电层状结构 | 第32-35页 |
| 2.2.1 磁电层状材料的本构方程 | 第32-33页 |
| 2.2.2 磁电层状材料磁电系数理论计算 | 第33-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 YIG/PMN-PT层状结构磁电双可调MSW延迟线设计 | 第36-48页 |
| 3.1 MSW延迟线及相关磁电材料 | 第36-38页 |
| 3.1.1 MSW延迟线 | 第36-37页 |
| 3.1.2 压磁相、压电相和介质基板的材料及参数 | 第37-38页 |
| 3.2 基于微带线的微波换能器及夹具 | 第38-44页 |
| 3.2.1 辐射电阻的计算分析 | 第38-41页 |
| 3.2.2 微带线设计 | 第41-42页 |
| 3.2.3 微带线输入输出端口阻抗匹配 | 第42-44页 |
| 3.3 偏置磁场大小设计 | 第44-45页 |
| 3.4 YIG/PMN-PT层状结构磁电双可调MSW延迟线仿真 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 YIG/PMN-PT层状结构磁电可调MSW延迟线实验 | 第48-64页 |
| 4.1 实验材料和样品加工 | 第48-50页 |
| 4.2 实验仪器 | 第50-52页 |
| 4.3 实验方案和测试方法 | 第52-53页 |
| 4.4 YIG/PMN-PT层状磁电耦合结构磁电双可调MSW延迟线实验结果 | 第53-62页 |
| 4.4.1 单片YIG单晶薄膜样品实验测试 | 第53-55页 |
| 4.4.2 层状磁电耦合结构实验测试结果 | 第55-60页 |
| 4.4.3 实验测试结果的分析 | 第60-62页 |
| 4.4.4 实验心得及改进建议 | 第62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 本文结论 | 第64-65页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
