| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 主要符号表 | 第13-17页 |
| 第1章 绪论 | 第17-36页 |
| 1.1 引言 | 第17-19页 |
| 1.2 FBAR的基本理论 | 第19-29页 |
| 1.2.1 压电现象及压电方程 | 第19-24页 |
| 1.2.2 FBAR中的声波振动模式 | 第24-25页 |
| 1.2.3 FBAR的典型结构 | 第25-26页 |
| 1.2.4 FBAR压电层材料的选择 | 第26-27页 |
| 1.2.5 FBAR质量传感的原理 | 第27-29页 |
| 1.3 FBAR传感器在生物环境中的应用 | 第29-33页 |
| 1.4 本论文的选题与章节安排 | 第33-36页 |
| 第2章 FBAR的制备与性能表征 | 第36-57页 |
| 2.1 薄膜制备的基本方法 | 第36页 |
| 2.2 FBAR制备与测试所用的实验设备 | 第36-41页 |
| 2.2.1 实验材料与测试设备 | 第36-37页 |
| 2.2.2 器件制备与测试仪器 | 第37-41页 |
| 2.3 FBAR压电膜的制备与表征 | 第41-51页 |
| 2.3.1 c轴择优生长AlN压电膜的制备与表征 | 第41-44页 |
| 2.3.2 c轴倾斜生长AlN压电膜的制备与表征 | 第44-47页 |
| 2.3.3 c轴择优生长ZnO压电膜的制备与表征 | 第47-51页 |
| 2.4 固态装配型FBAR工艺 | 第51-55页 |
| 2.4.1 布拉格声学层的有关理论 | 第51页 |
| 2.4.2 布拉格声学层的制备 | 第51-53页 |
| 2.4.3 固态装备型FBAR工艺流程 | 第53页 |
| 2.4.4 光刻工艺与上电极的制备 | 第53-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 AlN基体声波传感器对CEA的检测 | 第57-75页 |
| 3.1 试剂说明及检测原理 | 第57-58页 |
| 3.1.1 生物试剂说明 | 第57-58页 |
| 3.1.2 检测原理 | 第58页 |
| 3.2 纵波模式AlN基体声波传感器对CEA的检测 | 第58-64页 |
| 3.2.1 纵波模式体声波传感器基本性能的表征 | 第59-61页 |
| 3.2.2 自组装CEA核酸适配体生物敏感层 | 第61-62页 |
| 3.2.3 纵波模式AlN基体声波传感器对CEA的检测 | 第62-64页 |
| 3.3 剪切波模式AlN基体声波传感器在液体环境下对CEA的检测 | 第64-74页 |
| 3.3.1 FBAR- PDMS集成生物芯片的制备 | 第65-69页 |
| 3.3.2 剪切模式体声波传感器基本性能表征 | 第69-71页 |
| 3.3.3 PDMS集成体声波传感器对CEA的检测 | 第71-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 多孔金电极敏感加强型AlN基体声波传感器对重金属Hg~(2+)的检测 | 第75-82页 |
| 4.1 检测原理及试剂说明 | 第75-77页 |
| 4.1.1 试剂说明 | 第75页 |
| 4.1.2 检测原理 | 第75-77页 |
| 4.2 多孔金电极敏感加强型传感器的基本表征 | 第77-78页 |
| 4.2.1 AlN基FBAR传感器实现在液体中检测的基本结构 | 第77页 |
| 4.2.2 多孔金电极敏感加强型FBAR的基本表征 | 第77-78页 |
| 4.3 对重金属Hg~(2+)进行检测 | 第78-81页 |
| 4.3.1 器件典型的回波损耗曲线 | 第78-79页 |
| 4.3.2 器件对不同浓度Hg~(2+)的监测 | 第79-80页 |
| 4.3.3 器件对目标物的选择性 | 第80-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第5章 ZnO基体声波传感器对MUC1的检测 | 第82-92页 |
| 5.1 检测原理及试剂说明 | 第82-85页 |
| 5.1.1 试剂说明 | 第82-83页 |
| 5.1.2 检测原理 | 第83-85页 |
| 5.2 ZnO基体声波传感器基本性能的表征 | 第85-87页 |
| 5.2.1 形貌表征 | 第85-86页 |
| 5.2.2 XRD图谱与摇摆曲线 | 第86-87页 |
| 5.2.3 电学性能 | 第87页 |
| 5.3 用间接法对MUC1进行检测 | 第87-91页 |
| 5.3.1 用对比实验间接对MUC1进行检测 | 第87-88页 |
| 5.3.2 器件的探测下限和灵敏度 | 第88-90页 |
| 5.3.3 器件对目标物的选择性 | 第90-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 Mg掺杂对ZnO基体声波传感性能的影响 | 第92-106页 |
| 6.1 FBAR受温度因素影响的有关理论 | 第92-94页 |
| 6.1.1 FBAR的温度频率系数 | 第92页 |
| 6.1.2 考虑温度因素后FBAR的BVD模型 | 第92-94页 |
| 6.2 Mg掺杂ZnO压电膜的制备与表征 | 第94-99页 |
| 6.2.1 Mg掺杂ZnO压电膜的制备 | 第94-95页 |
| 6.2.2 Mg掺杂ZnO压电膜的表征 | 第95-99页 |
| 6.3 Mg掺杂ZnO基FBAR传感性能随温度的变化 | 第99-105页 |
| 6.3.1 ZnO基FBAR器件的PCB图 | 第99页 |
| 6.3.2 Mg掺杂ZnO基FBAR的基本表征 | 第99-100页 |
| 6.3.3 Mg掺杂ZnO基FBAR的电学性能 | 第100-105页 |
| 6.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 第7章 结论和展望 | 第106-109页 |
| 7.1 论文主要结论 | 第106-108页 |
| 7.2 展望 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 参加科研情况说明 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
