| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| ·太赫兹辐射特性及其应用 | 第12-17页 |
| ·太赫兹探测方法 | 第17-23页 |
| ·太赫兹光学和电学探测 | 第18-19页 |
| ·太赫兹直接和间接探测 | 第19-21页 |
| ·太赫兹热探测 | 第21-23页 |
| ·新型太赫兹探测 | 第23-26页 |
| ·太赫兹探测技术的比较 | 第26页 |
| ·本文研究意义与内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 基于金属-半导体-金属结构的室温光电导性 | 第31-65页 |
| ·光子探测 | 第32-39页 |
| ·光电导型 | 第33-35页 |
| ·光伏型（PN结构, PIN结构） | 第35-36页 |
| ·非本征光电导型 | 第36-37页 |
| ·肖特基结 | 第37-39页 |
| ·热探测 | 第39-41页 |
| ·光电导性理论模型 | 第41-45页 |
| ·理论计算 | 第45-50页 |
| ·载流子浓度改变 Dn与f的关系 | 第45-46页 |
| ·载流子浓度改变 Dn与a的关系 | 第46-47页 |
| ·载流子浓度改变 Dn与器件接收功率P的关系 | 第47-48页 |
| ·载流子浓度改变与半导体材料厚度d的关系 | 第48-49页 |
| ·极限情况 | 第49-50页 |
| ·基于碲镉汞材料的金属-半导体-金属结构 | 第50-62页 |
| ·材料表征及结构制备 | 第50-51页 |
| ·光电导性测试 | 第51-58页 |
| ·热效应影响 | 第58-60页 |
| ·COMSOL计算 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第三章 窄禁带半导体碲镉汞太赫兹探测 | 第65-86页 |
| ·探测理论模型 | 第66-67页 |
| ·窄禁带半导体碲镉汞太赫兹探测器件 | 第67-73页 |
| ·碲镉汞材料 | 第67-68页 |
| ·器件制备 | 第68-73页 |
| ·实验测试 | 第73-77页 |
| ·器件I-V特性测试 | 第73-74页 |
| ·器件电压响应测试 | 第74-76页 |
| ·频谱响应测试 | 第76-77页 |
| ·与其它类型器件截止频率比较 | 第77-81页 |
| ·COMSOL计算 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 窄禁带半导体铟镓砷太赫兹探测 | 第86-98页 |
| ·材料结构设计和工艺制作 | 第86-91页 |
| ·材料结构 | 第86-87页 |
| ·器件制备 | 第87-91页 |
| ·器件测试 | 第91-95页 |
| ·器件I-V特性测试 | 第91-93页 |
| ·器件响应性能测试 | 第93-95页 |
| ·COMSOL分析 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 第五章 红外、太赫兹成像初步研究 | 第98-109页 |
| ·成像系统设计 | 第98-100页 |
| ·成像相关理论计算 | 第100-101页 |
| ·成像探测器 | 第101-105页 |
| ·成像结果和讨论 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-109页 |
| 第六章N-GaSb/n-InAsSb异质结红外光子探测 | 第109-122页 |
| ·材料表征 | 第111-112页 |
| ·器件制备 | 第112-114页 |
| ·实验测试 | 第114-118页 |
| ·变温I-V测试 | 第114-116页 |
| ·黑体测试 | 第116页 |
| ·频谱响应测试 | 第116-118页 |
| ·光电流响应机制 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第七章 总结和展望 | 第122-124页 |
| ·总结 | 第122-123页 |
| ·展望 | 第123-124页 |