| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-29页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·II-VI族一维半导体纳米结构 | 第13-23页 |
| ·Cd S一维纳米结构 | 第15-16页 |
| ·Cd Se一维纳米结构 | 第16-19页 |
| ·Cd SxSe1-x一维纳米结构 | 第19-21页 |
| ·II-VI族一维纳米结构制备方法 | 第21-23页 |
| ·锡和锗的硫族化合物低维结构 | 第23-26页 |
| ·锡的硫族化合物低维结构 | 第24-25页 |
| ·锗的硫族化合物低维结构 | 第25-26页 |
| ·原位电镜在低维结构研究中的应用及存在的问题 | 第26-28页 |
| ·本文意义和研究内容 | 第28-29页 |
| 2 Cd Se：Sb纳米带的生长、电子传输和光电性能 | 第29-40页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·实验部分 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·纳米带的形貌、结构和组分 | 第31-33页 |
| ·纳米带电子传输性能 | 第33-35页 |
| ·纳米带的光电性能 | 第35-38页 |
| ·纳米带肖特基二极管 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 3 In、Cl掺杂的Cd SxSe_(1-x)一维纳米结构的制备和性能 | 第40-58页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41-43页 |
| ·材料制备与表征 | 第41-42页 |
| ·器件制备与测试 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-57页 |
| ·材料表征 | 第43-49页 |
| ·单根纳米线/带电子传输性能 | 第49-53页 |
| ·单根纳米线/带光电性能 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 锡、锗的硒化物低维结构的合成和电子传输性能 | 第58-77页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·Sn-Se低维结构的合成 | 第59-60页 |
| ·Ge Se2纳米带合成 | 第60页 |
| ·材料表征和性能测试 | 第60页 |
| ·Sn-Se微纳结构及电学性能 | 第60-72页 |
| ·形貌分析 | 第60-63页 |
| ·结构和成分 | 第63-66页 |
| ·生长机理 | 第66-70页 |
| ·电子传输性能 | 第70-72页 |
| ·Ge Se2纳米带生长及其机理 | 第72-76页 |
| ·纳米带形貌分析 | 第72-73页 |
| ·纳米带组成、结构和价态分析 | 第73-75页 |
| ·纳米带生长机理 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 5 低能电子束辐照对半导体低维结构电子传输和光电性能的影响 | 第77-101页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·材料和实验装置 | 第78-79页 |
| ·材料制备与表征 | 第78页 |
| ·实验装置 | 第78-79页 |
| ·电子束辐照对Cd Se纳米带电子传输性能的影响 | 第79-86页 |
| ·电子束辐照对纳米带场效应晶体管电子传输性能影响 | 第79-80页 |
| ·电子束参数和环境的影响 | 第80-86页 |
| ·电子束辐照对Cd S纳米带电子传输和光电性能的影响 | 第86-91页 |
| ·电子束辐照对纳米带电子传输性能的影响 | 第86-88页 |
| ·电子束辐照对纳米带光电性能的影响 | 第88-91页 |
| ·电子束辐照对Cd SxSe1-x纳米线电子传输性能影响 | 第91-96页 |
| ·电子束辐照对纳米线晶体管电子传输性能的影响 | 第91-93页 |
| ·纳米线尺寸和电导率的影响 | 第93-95页 |
| ·焦耳热改善纳米线-纳米线接触电阻 | 第95-96页 |
| ·低能电子束辐照对Zn Se和Ge Se2低维结构电子传输性能的影响 | 第96-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 6 总结与展望 | 第101-103页 |
| ·总结 | 第101-102页 |
| ·展望 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
