| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物材料的性质及应用 | 第10-13页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·GaN在微波大功率器件中的应用 | 第11-13页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物的极化特性与AlGaN/GaN异质结 | 第13-19页 |
| ·Ⅲ族氮化物的极化特性 | 第13-15页 |
| ·AlGaN/GaN异质结与AlGaN/GaN HEMT器件 | 第15-19页 |
| §1.3 论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 GaN基肖特基二极管的电流输运特性 | 第27-49页 |
| §2.1 引言 | 第27页 |
| §2.2 GaN材料表征及器件制备 | 第27-29页 |
| §2.3 GaN基SBD反向漏电流输运机制 | 第29-43页 |
| ·正向电流特性研究 | 第30-34页 |
| ·反向漏电流的热电子发射和隧穿理论 | 第34-37页 |
| ·反向漏电流模型 | 第37-43页 |
| §2.4 小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 第三章 退火对AlGaN/GaN肖特基二极管的钝化作用研究 | 第49-72页 |
| §3.1 引言 | 第49-50页 |
| §3.2 器件制备 | 第50-52页 |
| §3.3 后栅退火对AlGaN/GaN SBDs的钝化作用 | 第52-60页 |
| ·I-V直流特性表征及分析 | 第52-55页 |
| ·C-V表征及分析 | 第55-60页 |
| §3.4 AlGaN/GaN肖特基二极管的电容电导频率散射 | 第60-67页 |
| ·电容电导频率散射实验结果 | 第61-63页 |
| ·电容电导频率散射分析 | 第63-67页 |
| §3.5 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第四章 场板结构对AlGaN/GaN HEMT瞬态响应的影响 | 第72-88页 |
| §4.1 引言 | 第72-74页 |
| §4.2 器件结构与物理模型 | 第74-76页 |
| §4.3 模拟结果及分析 | 第76-83页 |
| ·栅延迟模拟结果与分析 | 第76-81页 |
| ·漏延迟模拟结果与分析 | 第81-83页 |
| §4.4 小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第五章 结论与展望 | 第88-91页 |
| §5.1 论文结论 | 第88-89页 |
| §5.2 工作展望 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第92-93页 |
