| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅基薄膜晶体管技术的现状及其局限性 | 第12-14页 |
| ·氧化物基薄膜晶体管技术的现状及其局限性 | 第14-15页 |
| ·非晶IGZO材料的基本性质 | 第15-19页 |
| ·非晶IGZO TFT的研究现状与应用前景 | 第19-21页 |
| ·非晶IGZO TFT存在的科学问题 | 第21-24页 |
| ·本论文研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 第二章 非晶IGZO TFT的载流子输运机制研究 | 第33-49页 |
| ·研究背景 | 第33-34页 |
| ·非晶IGZO TFT的制备工艺流程简介 | 第34-36页 |
| ·温度对器件源漏接触电阻的影响 | 第36-38页 |
| ·器件的变温I-V特性 | 第38-41页 |
| ·载流子输运特性分析 | 第41-43页 |
| ·载流子输运机制 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 界面态对非晶IGZO TFT电学稳定性影响的研究 | 第49-59页 |
| ·研究背景 | 第49页 |
| ·非晶IGZO TFT的正栅偏压电学稳定性研究 | 第49-51页 |
| ·界面态对非晶IGZO TFT电学稳定性的影响 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 光照对非晶IGZO TFT电学稳定性的影响 | 第59-70页 |
| ·研究背景 | 第59页 |
| ·器件的测试方法及I-V特性 | 第59-60页 |
| ·单色光照射对正向偏压后器件稳定性的影响 | 第60-63页 |
| ·单色光照射对初始器件稳定性的影响 | 第63页 |
| ·器件性能退化机制的分析 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第五章 氮掺杂IGZO界面插入层对薄膜晶体管电学稳定性的影响 | 第70-85页 |
| ·研究背景 | 第70页 |
| ·器件的制备 | 第70-71页 |
| ·器件的电学特性 | 第71-72页 |
| ·正偏栅压下器件的稳定性 | 第72-74页 |
| ·非晶IGZO：N插入层的XPS表征 | 第74-76页 |
| ·低频噪声测量 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 第六章 非晶IGZO TFT反相器的制备及性能表征 | 第85-94页 |
| ·研究背景 | 第85页 |
| ·反相器的制备及工作原理 | 第85-88页 |
| ·a-IGZO TFT的I-V特性 | 第88-90页 |
| ·非晶IGZO TFT反相器的转移特性 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第七章 论文工作总结与展望 | 第94-98页 |
| 发表论文目录 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
