| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的研究背景 | 第10-13页 |
| ·GaN的研究历史 | 第10-11页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的应用领域 | 第11-13页 |
| ·GaN异质结的应力研究现状 | 第13-17页 |
| ·应力对材料性质的影响 | 第13-15页 |
| ·应力对器件性能的影响 | 第15-17页 |
| ·本文研究目的与主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 应变下的弹性性质 | 第18-31页 |
| ·密度泛函的应力理论简介 | 第18-21页 |
| ·GaN、AlN和InN的弹性性质 | 第21-23页 |
| ·结果分析与讨论 | 第23-25页 |
| ·六方相Ⅲ族氮化物的晶格应变模型 | 第25-27页 |
| ·双轴应变下的弹性常数 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 应变GaN、AlN、InN和BaTiO_3的电子结构和电子有效质量 | 第31-50页 |
| ·GaN、AlN和InN的电子结构 | 第31-37页 |
| ·立方相GaN、AlN和InN的电子结构 | 第32-34页 |
| ·六方相GaN、AlN和InN的电子结构 | 第34-37页 |
| ·应变下六方相GaN、AlN和InN的电子结构和电子有效质量 | 第37-45页 |
| ·双轴应变六方相GaN、AlN和InN的电子结构和电子有效质量 | 第39-44页 |
| ·单轴应变下GaN的电子结构和电子有效质量 | 第44-45页 |
| ·应变BaTiO_3的电子有效质量 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 应变AlGaN、AlInN和InGaN的晶格常数和电子有效质量 | 第50-64页 |
| ·Ⅲ族氮化物三元合金的计算方法 | 第50-53页 |
| ·三元合金的晶格常数 | 第53-55页 |
| ·三元合金的电子有效质量 | 第55-59页 |
| ·应变三元合金的电子有效质量 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 应变GaN声子谱与介电常数 | 第64-70页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·计算方法 | 第64-66页 |
| ·结果分析与讨论 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80页 |
